Исследование процессов ориентационного упорядочения в кристаллах NiSiF₆.6H₂O, NiSiF₆.6D₂O и ZnSiF₆.6H₂O методом комбинационного рассеяния света
Представлены результаты исследования поляризованных спектров комбинационного рассеяния света в монокристаллах ZnSiF₆.6H₂O и NiSiF₆.6D₂O в интервале температур 2-300 К. Установлено. что при низких температурах кристаллы ориентационно упорядочены. Для описания процессов ориентационного разупорядоче...
Збережено в:
Дата: | 1997 |
---|---|
Автори: | Еременко, В.В., Песчанский, А.В., Фомин, В.И. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1997
|
Назва видання: | Физика низких температур |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176339 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Исследование процессов ориентационного упорядочения в кристаллах NiSiF₆.6H₂O, NiSiF₆.6D₂O и ZnSiF₆.6H₂O методом комбинационного рассеяния света / В.В. Еременко, А.В. Песчанский, В.И. Фомин // Физика низких температур. — 1997. — Т. 23, № 12. — С. 1315-1324. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Тензор динамической диэлектрической восприимчивости хаотизированного f-d -магнетика
за авторством: Безносов, А.Б., та інші
Опубліковано: (2001) -
Температурная зависимость времени электрон-фононного рассеяния носителей заряда в p-Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Беркутов, И.Б., та інші
Опубліковано: (2000) -
Особенности осцилляций Шубникова–де Гааза проводимости высокоподвижного двумерного дырочного газа в квантовой яме SiGe/Ge/SiGe
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2006) -
Резонансные свойства квазиодномерного изинговского магнетика [(CH₃)₃NH]CoCl₃×2H₂O в парамагнитной и магнитоупорядоченной фазах
за авторством: Кобец, М.И., та інші
Опубліковано: (2002) -
Overheating effect and hole-phonon interaction in SiGe heterostructures
за авторством: Berkutov, I.B., та інші
Опубліковано: (2008)