Berry phase in strained InSb whiskers

Berry phase in strained InSb whiskers

Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by Sn to concentrations 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ were studied at temperatures from 4.2 to 50 K and magnetic field up to 10 T. The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were revealed in the...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2018
Автори: Druzhinin, A., Ostrovskii, I., Khoverko, Yu., Liakh-Kaguy, N., Rogacki, K.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2018
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Низькотемпературний магнетизм
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176492
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Berry phase in strained InSb whiskers/ A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, K. Rogacki // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 11. — С. 1521-1527. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-176492
record_format dspace
spelling irk-123456789-1764922021-02-06T01:26:40Z Berry phase in strained InSb whiskers Druzhinin, A. Ostrovskii, I. Khoverko, Yu. Liakh-Kaguy, N. Rogacki, K. Низькотемпературний магнетизм Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by Sn to concentrations 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ were studied at temperatures from 4.2 to 50 K and magnetic field up to 10 T. The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were revealed in the strained and unstrained samples with all range doping concentration. Some peaks of the longitudinal magnetoresistance split as a doublet in the InSb whiskers with doping concentration in the vicinity to metal-insulator transition. Taking into account peak splitting giant g-factor from 30 to 60 was defined for strained and unstrained samples. The magnetoresistance oscillation period of the InSb whiskers doesn’t differ under strain for all doping concentration, but Fermi energy increases and electron effective mass mс decreases and consists 0.02 m₀. Berry phase presence was also revealed in strained n-InSb whiskers that shows their transition under a strain to topological insulator phase. Досліджено вплив деформації на поздовжній магнітоопір ниткоподібних кристалів InSb з провідністю n-типу, легованих оловом в концентраціях 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ , при температурах від 4,2 до 50 К та магнітних полях до 10 Тл. При низьких температурах осциляції Шубнікова–де Гааза виявлено в деформованих й недеформованих зразках у всьому діапазоні концентрацій допування. Деякі піки поздовжнього магнітоопору розщеплюються в дублети в ниткоподібних кристалах InSb з концентрацією допанта, близькою до переходу метал–ізолятор. Беручи до уваги розщеплення піків, для деформованих та недеформованих зразків визначено гігантський g-фактор від 30 до 60. Період осциляцій магнітоопору ниткоподібних кристалів InSb не змінюється в деформованому стані для всіх концентрацій допанта, але енергія Фермі зростає, а ефективна маса електрона mс зменшується і становить 0,02 m₀. Присутність фази Беррі було також виявлено в деформованих ниткоподібних кристалах n-InSb, які демонстрували перехід в фазу топологічного ізолятора під дією деформації. Исследовано влияние деформации на продольное магнитосопротивление нитевидных кристаллов InSb с проводимостью n-типа, легированных оловом в концентрациях 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ , при температурах от 4,2 до 50 К и магнитных полях до 10 Тл. При низких температурах осцилляции Шубникова–де Гааза обнаружены в деформированных и недеформированных образцах во всем диапазоне концентраций допирования. Некоторые пики продольного магнитосопротивления расщепляются в дублеты в нитевидных кристаллах InSb с концентрацией допанта, близкой к переходу металл– изолятор. Принимая во внимание расщепление пиков, для деформированных и недеформированных образцов определен гигантский g-фактор от 30 до 60. Период осцилляций магнитосопротивления нитевидных кристаллов InSb не изменяется в деформированном состоянии для всех концентраций допанта, но энергия Ферми возрастает, а эффективная масса электрона mс уменьшается и составляет 0,02 m₀. Присутствие фазы Берри было также обнаружено в деформированных нитевидных кристаллах n-InSb, которые демонстрировали переход в фазу топологического изолятора под действием деформации. 2018 Article Berry phase in strained InSb whiskers/ A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, K. Rogacki // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 11. — С. 1521-1527. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. 0132-6414 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176492 en Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
topic Низькотемпературний магнетизм
Низькотемпературний магнетизм
spellingShingle Низькотемпературний магнетизм
Низькотемпературний магнетизм
Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Yu.
Liakh-Kaguy, N.
Rogacki, K.
Berry phase in strained InSb whiskers
Физика низких температур
description Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by Sn to concentrations 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ were studied at temperatures from 4.2 to 50 K and magnetic field up to 10 T. The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were revealed in the strained and unstrained samples with all range doping concentration. Some peaks of the longitudinal magnetoresistance split as a doublet in the InSb whiskers with doping concentration in the vicinity to metal-insulator transition. Taking into account peak splitting giant g-factor from 30 to 60 was defined for strained and unstrained samples. The magnetoresistance oscillation period of the InSb whiskers doesn’t differ under strain for all doping concentration, but Fermi energy increases and electron effective mass mс decreases and consists 0.02 m₀. Berry phase presence was also revealed in strained n-InSb whiskers that shows their transition under a strain to topological insulator phase.
format Article
author Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Yu.
Liakh-Kaguy, N.
Rogacki, K.
author_facet Druzhinin, A.
Ostrovskii, I.
Khoverko, Yu.
Liakh-Kaguy, N.
Rogacki, K.
author_sort Druzhinin, A.
title Berry phase in strained InSb whiskers
title_short Berry phase in strained InSb whiskers
title_full Berry phase in strained InSb whiskers
title_fullStr Berry phase in strained InSb whiskers
title_full_unstemmed Berry phase in strained InSb whiskers
title_sort berry phase in strained insb whiskers
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 2018
topic_facet Низькотемпературний магнетизм
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176492
citation_txt Berry phase in strained InSb whiskers/ A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, K. Rogacki // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 11. — С. 1521-1527. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT druzhinina berryphaseinstrainedinsbwhiskers
AT ostrovskiii berryphaseinstrainedinsbwhiskers
AT khoverkoyu berryphaseinstrainedinsbwhiskers
AT liakhkaguyn berryphaseinstrainedinsbwhiskers
AT rogackik berryphaseinstrainedinsbwhiskers
first_indexed 2023-10-18T22:41:33Z
last_indexed 2023-10-18T22:41:33Z
_version_ 1796156182009741312

Схожі ресурси