Berry phase in strained InSb whiskers

• Дата: 2018
• Автори: Druzhinin, A., Ostrovskii, I., Khoverko, Yu., Liakh-Kaguy, N., Rogacki, K.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2018
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Низькотемпературний магнетизм
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176492
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Berry phase in strained InSb whiskers/ A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, K. Rogacki // Физика низких температур. — 2018. — Т. 44, № 11. — С. 1521-1527. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.

Strain influence on the longitudinal magnetoresistance for the n-type conductivity InSb whiskers doped by Sn to concentrations 6·10¹⁶–6·10¹⁷ сm⁻³ were studied at temperatures from 4.2 to 50 K and magnetic field up to 10 T. The Shubnikov–de Haas oscillations at low temperatures were revealed in the...