Динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах
С учетом пространственной и временной дисперсий диэлектрических проницаемостей электродов рассчитаны динамические силы изображения в симметричных трехслойных М-I-М-структурах в первом порядке теории возмущений по параметру неадиабатичности. Показано, что в случае тонкого диэлектрического слоя толщин...
Збережено в:
| Дата: | 1996 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176529 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах / А.И. Войтенко, А.М. Габович, В.М. Розенбаум // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 1. — С. 86-98. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-176529 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1765292021-02-06T01:26:45Z Динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах Войтенко, А.И. Габович, А.М. Розенбаум, В.М. По всем тематикам журнала С учетом пространственной и временной дисперсий диэлектрических проницаемостей электродов рассчитаны динамические силы изображения в симметричных трехслойных М-I-М-структурах в первом порядке теории возмущений по параметру неадиабатичности. Показано, что в случае тонкого диэлектрического слоя толщиной 2l << к⁻¹ где к⁻¹ — длина экранирования в электродах, координатная зависимость энергии сил изображения W(z) (-l < z < l) коренным образом отличается от известных классических выражений. А именно, статическое слагаемое Wst(z) является медленно меняющейся функцией z и в пределе кl → 0 равно —е²к/2 (е — заряд электрона). В том же пределе динамическая поправка ΔW(z) к Wst(z) линейна по z и имеет разные знаки вблизи разных электродов. Указанные закономерности позволили получить простые аналитические зависимости туннельного тока от напряжения на электродах, которые сводятся к квазиклассическим выражениям для треугольного (трапецеидального) потенциального барьера с нетривиальными перенормировками значений работы выхода и электрического поля. Подробно обсуждаются вопросы применимости предложенной теории к различным экспериментальным ситуациям. З урахуванням просторової та часової дисперсій діелектричних проникностей електродів розраховано динамічні сили зображення в симетричних тришарових M—I—M-структурах у першому порядку теорії збурень за параметром неадіабатичності. Показано, що у випадку тонкого діелектричного прошарку товщиною 2l << к⁻¹ де к⁻¹ — довжина екранування в електродах, координатна залежність енергії сил зображення W(z)(-l < z < l) докорінно відрізняється від відо:^ х класичних виразів. А саме, статичний доданок Wst(z) повільно змінюється як функція z і в граничному випадку кl → 0 дорівнює —е²к/2 (е — заряд електрона). В тому ж граничному випадку динамічний доданонок ΔW(z) до Wst(z) є лінійною функцією z та має різні знаки поблизу різних електродів. Вказані закономірності дозволили отримати прості аналітичні залежності тунельного струму від напруги на електродах, які зводяться до квазікласичних виразів для трикутного (або трапеціїдального) потенціального бар’єру з нетривіальними перенормуваннями роботи виходу та електричного поля. Детально обговорюються питання застосовності запропонованої теорії до різних експериментальних ситуацій. The dynamic image forces in symmetrical three-layer M—I—M structures are calculated to the first order of the perturbation theory in non-adiabaticity parameter with taking into account the spatial and temporal dispersions of the electrode dielectric functions. For a thin insulating interlayer 2l << к⁻¹ thick, where к⁻¹ is the electrode screening length, the co-ordinate dependence of image force energy W(z) (-l < z < l) is shown to be drastically different from the conventional classical expressions. Namely, the static contribution Wst(z) is a slowly varying function of z and in the limit кl → 0 equals —е²к/2 (e is the electron charge). In the same limit the dynamic correction ΔW(z) to Wst(z) is linear in z and has different signs near various electrodes. The above results made it possible to derive simple analytic bias dependences of tunnel currents. The formal expressions look like the quasi-classical ones for triangular (or trapezoidal) potential barriers but with non-trivial renormalization of the work function and electrostatic field. The applicability of the proposed theory to various experimental situations is discussed in detail. 1996 Article Динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах / А.И. Войтенко, А.М. Габович, В.М. Розенбаум // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 1. — С. 86-98. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. 0132-6414 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176529 538.935 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
По всем тематикам журнала По всем тематикам журнала |
| spellingShingle |
По всем тематикам журнала По всем тематикам журнала Войтенко, А.И. Габович, А.М. Розенбаум, В.М. Динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах Физика низких температур |
| description |
С учетом пространственной и временной дисперсий диэлектрических проницаемостей электродов рассчитаны динамические силы изображения в симметричных трехслойных М-I-М-структурах в первом порядке теории возмущений по параметру неадиабатичности. Показано, что в случае тонкого диэлектрического слоя толщиной 2l << к⁻¹ где к⁻¹ — длина экранирования в электродах, координатная зависимость энергии сил изображения W(z) (-l < z < l) коренным образом отличается от известных классических выражений. А именно, статическое слагаемое Wst(z) является медленно меняющейся функцией z и в пределе кl → 0 равно —е²к/2 (е — заряд электрона). В том же пределе динамическая поправка ΔW(z) к Wst(z) линейна по z и имеет разные знаки вблизи разных электродов. Указанные закономерности позволили получить простые аналитические зависимости туннельного тока от напряжения на электродах, которые сводятся к квазиклассическим выражениям для треугольного (трапецеидального) потенциального барьера с нетривиальными перенормировками значений работы выхода и электрического поля. Подробно обсуждаются вопросы применимости предложенной теории к различным экспериментальным ситуациям. |
| format |
Article |
| author |
Войтенко, А.И. Габович, А.М. Розенбаум, В.М. |
| author_facet |
Войтенко, А.И. Габович, А.М. Розенбаум, В.М. |
| author_sort |
Войтенко, А.И. |
| title |
Динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах |
| title_short |
Динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах |
| title_full |
Динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах |
| title_fullStr |
Динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах |
| title_full_unstemmed |
Динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах |
| title_sort |
динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
1996 |
| topic_facet |
По всем тематикам журнала |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176529 |
| citation_txt |
Динамические силы изображения и туннелирование в трехслойных системах / А.И. Войтенко, А.М. Габович, В.М. Розенбаум // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 1. — С. 86-98. — Бібліогр.: 19 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT vojtenkoai dinamičeskiesilyizobraženiâitunnelirovanievtrehslojnyhsistemah AT gabovičam dinamičeskiesilyizobraženiâitunnelirovanievtrehslojnyhsistemah AT rozenbaumvm dinamičeskiesilyizobraženiâitunnelirovanievtrehslojnyhsistemah |
| first_indexed |
2023-10-18T22:41:37Z |
| last_indexed |
2023-10-18T22:41:37Z |
| _version_ |
1796156184998182912 |