Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb₁-xSnxSe₂

• Дата: 1998
• Автори: Белецкий, В.И., Гавренко, О.А., Мерисов, Б.А., Оболенский, М.А., Сологубенко, А.В., Хаджай, Г.Я., Чашка, Х.Б.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1998
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Низкоразмерные и неупорядоченные системы
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176559
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb₁-xSnxSe₂ / В.И. Белецкий, О.А. Гавренко, Б.А. Мерисов, М.А. Оболенский, А.В. Сологубенко, Г.Я. Хаджай, Х.Б. Чашка // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 4. — С. 360-366. — Бібліогр.: 25 назв. — рос.

Экспериментально исследована теплопроводность λ(x=0,0.15,0.3,0.6;T=2–200 K) и электросопротивления ρ(0⩽x⩽0.5;T=6–300 K) слоистых кристаллов Nb₁-xSnxSe₂ в плоскости ab. При xapprox 0,5 обнаружен переход типа металл-полупроводник. Величина особенности электросопротивления при 33K, связанной с переходом в фазу волны зарядовой плотности, увеличивается с ростом x more 0,15. Теплопроводность образцов с металлической проводимостью (x < 0,5) увеличивается с ростом температуры при T > 90K, что коррелирует с нелинейностью зависимостей ρ(T). Отсутствие такого роста λ (T) для полупроводникового образца свидетельствует, что эта особенность связана с электронной подсистемой. Наблюдаемая немонотонность зависимости ρ (x) может быть объяснена существованием острого пика электронной плотности состояний вблизи уровня Ферми. Аппроксимация зависимостей λ (T) обнаруживает наличие механизма рассеяния фононов со скоростью релаксации, пропорциональной квадрату частоты.