Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb₁-xSnxSe₂
Экспериментально исследована теплопроводность λ(x=0,0.15,0.3,0.6;T=2–200 K) и электросопротивления ρ(0⩽x⩽0.5;T=6–300 K) слоистых кристаллов Nb₁-xSnxSe₂ в плоскости ab. При xapprox 0,5 обнаружен переход типа металл-полупроводник. Величина особенности электросопротивления при 33K, связанной с переходо...
Збережено в:
| Дата: | 1998 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1998
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176559 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb₁-xSnxSe₂ / В.И. Белецкий, О.А. Гавренко, Б.А. Мерисов, М.А. Оболенский, А.В. Сологубенко, Г.Я. Хаджай, Х.Б. Чашка // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 4. — С. 360-366. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-176559 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1765592021-02-06T01:25:54Z Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb₁-xSnxSe₂ Белецкий, В.И. Гавренко, О.А. Мерисов, Б.А. Оболенский, М.А. Сологубенко, А.В. Хаджай, Г.Я. Чашка, Х.Б. Низкоразмерные и неупорядоченные системы Экспериментально исследована теплопроводность λ(x=0,0.15,0.3,0.6;T=2–200 K) и электросопротивления ρ(0⩽x⩽0.5;T=6–300 K) слоистых кристаллов Nb₁-xSnxSe₂ в плоскости ab. При xapprox 0,5 обнаружен переход типа металл-полупроводник. Величина особенности электросопротивления при 33K, связанной с переходом в фазу волны зарядовой плотности, увеличивается с ростом x more 0,15. Теплопроводность образцов с металлической проводимостью (x < 0,5) увеличивается с ростом температуры при T > 90K, что коррелирует с нелинейностью зависимостей ρ(T). Отсутствие такого роста λ (T) для полупроводникового образца свидетельствует, что эта особенность связана с электронной подсистемой. Наблюдаемая немонотонность зависимости ρ (x) может быть объяснена существованием острого пика электронной плотности состояний вблизи уровня Ферми. Аппроксимация зависимостей λ (T) обнаруживает наличие механизма рассеяния фононов со скоростью релаксации, пропорциональной квадрату частоты. Експериментально досліджено теплопровідність λ(x=0,0.15,0.3,0.6;T=2–200 K)та електроопір ρ(0⩽x⩽0.5;T=6–300 K) шаруватих кристалів Nb₁-xSnxSe₂ у площині ab. При x ~ 0,5 виявлено перехід типу метал —напівпровідник. Величина особливості електроопору при 33 К, яка пов’язана з переходом в фазу хвилі зарядової густини, збільшується із зростанням х > 0,15. Теплопровідність зразків з металевою провідністю (х < 0,5) збільшується із зростанням температури при Т > 90 К, що корелює з нелінійністю залежностей ρ (T). Відсутність такого зросту λ (T) для напівпровідникового зразка свідчить, що ця особливість пов’язана з електронною підсистемою. Спостерігаєма немонотонність залежності ρ (x) може бути пояснена існуванням гострого піка електронної густини станів поблизу рівня Фермі. Апроксимація залежностей λ (T) виявляє наявність механізму розсіяння фононів із швидкістю релаксації, пропорційної квадрату частоти. The thermal conductivity λ(x=0,0.15,0.3,0.6;T=2–200 K) and electrical resistivity ρ(0⩽x⩽0.5;T=6–300 K) of layered crystals Nb₁-xSnxSe₂ are measured in the ab plane. The metal– semiconductor transition is observed at x≈0.5. The magnitude of the resistivity anomaly observed at 33 K and associated with a transition to the charge density wave phase increases with increasing x for x>0.15. The thermal conductivity of the metallic samples (x<0.5) increases with temperature at T>90K, which is in accord with the nonlinearity of the ρ(T) dependence. The absence of such an increase in λ(T) for a semiconducting sample indicates that this singularity is connected with the electronic subsystem. The observed nonmonotonicity of the ρ(x) dependence may be associated with the existence of a sharp peak in the electron density of states near the Fermi level. Approximation of the λ(T) dependence reveals the existence of a phonon scattering mechanism with a relaxation rate proportional to the square of the frequency. 1998 Article Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb₁-xSnxSe₂ / В.И. Белецкий, О.А. Гавренко, Б.А. Мерисов, М.А. Оболенский, А.В. Сологубенко, Г.Я. Хаджай, Х.Б. Чашка // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 4. — С. 360-366. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. 0132-6414 PACS: 72.15.Eb, 74.25.Fy, 66.70.+f http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176559 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Низкоразмерные и неупорядоченные системы Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| spellingShingle |
Низкоразмерные и неупорядоченные системы Низкоразмерные и неупорядоченные системы Белецкий, В.И. Гавренко, О.А. Мерисов, Б.А. Оболенский, М.А. Сологубенко, А.В. Хаджай, Г.Я. Чашка, Х.Б. Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb₁-xSnxSe₂ Физика низких температур |
| description |
Экспериментально исследована теплопроводность λ(x=0,0.15,0.3,0.6;T=2–200 K) и электросопротивления ρ(0⩽x⩽0.5;T=6–300 K) слоистых кристаллов Nb₁-xSnxSe₂ в плоскости ab. При xapprox 0,5 обнаружен переход типа металл-полупроводник. Величина особенности электросопротивления при 33K, связанной с переходом в фазу волны зарядовой плотности, увеличивается с ростом x more 0,15. Теплопроводность образцов с металлической проводимостью (x < 0,5) увеличивается с ростом температуры при T > 90K, что коррелирует с нелинейностью зависимостей ρ(T). Отсутствие такого роста λ (T) для полупроводникового образца свидетельствует, что эта особенность связана с электронной подсистемой. Наблюдаемая немонотонность зависимости ρ (x) может быть объяснена существованием острого пика электронной плотности состояний вблизи уровня Ферми. Аппроксимация зависимостей λ (T) обнаруживает наличие механизма рассеяния фононов со скоростью релаксации, пропорциональной квадрату частоты. |
| format |
Article |
| author |
Белецкий, В.И. Гавренко, О.А. Мерисов, Б.А. Оболенский, М.А. Сологубенко, А.В. Хаджай, Г.Я. Чашка, Х.Б. |
| author_facet |
Белецкий, В.И. Гавренко, О.А. Мерисов, Б.А. Оболенский, М.А. Сологубенко, А.В. Хаджай, Г.Я. Чашка, Х.Б. |
| author_sort |
Белецкий, В.И. |
| title |
Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb₁-xSnxSe₂ |
| title_short |
Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb₁-xSnxSe₂ |
| title_full |
Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb₁-xSnxSe₂ |
| title_fullStr |
Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb₁-xSnxSe₂ |
| title_full_unstemmed |
Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb₁-xSnxSe₂ |
| title_sort |
теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения nb₁-xsnxse₂ |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
1998 |
| topic_facet |
Низкоразмерные и неупорядоченные системы |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176559 |
| citation_txt |
Теплопроводность и электросопротивление слоистого соединения Nb₁-xSnxSe₂ / В.И. Белецкий, О.А. Гавренко, Б.А. Мерисов, М.А. Оболенский, А.В. Сологубенко, Г.Я. Хаджай, Х.Б. Чашка // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 4. — С. 360-366. — Бібліогр.: 25 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT beleckijvi teploprovodnostʹiélektrosoprotivleniesloistogosoedineniânb1xsnxse2 AT gavrenkooa teploprovodnostʹiélektrosoprotivleniesloistogosoedineniânb1xsnxse2 AT merisovba teploprovodnostʹiélektrosoprotivleniesloistogosoedineniânb1xsnxse2 AT obolenskijma teploprovodnostʹiélektrosoprotivleniesloistogosoedineniânb1xsnxse2 AT sologubenkoav teploprovodnostʹiélektrosoprotivleniesloistogosoedineniânb1xsnxse2 AT hadžajgâ teploprovodnostʹiélektrosoprotivleniesloistogosoedineniânb1xsnxse2 AT čaškahb teploprovodnostʹiélektrosoprotivleniesloistogosoedineniânb1xsnxse2 |
| first_indexed |
2023-10-18T22:38:18Z |
| last_indexed |
2023-10-18T22:38:18Z |
| _version_ |
1796156042607853568 |