Границы устойчивости вихревого состояния в монокристалле YBaCuO

• Дата: 1998
• Автори: Кугель, К.И., Мамсурова, Л.Г., Пигальский, К.С., Рахманов, А.Л.
• Формат: Стаття
• Мова: Russian
• Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1998
• Назва видання: Физика низких температур
• Теми: Свеpхпpоводимость, в том числе высокотемпеpатуpная
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/176640
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Границы устойчивости вихревого состояния в монокристалле YBaCuO / К.И. Кугель, Л.Г. Мамсурова, К.С. Пигальский, А.Л. Рахманов // Физика низких температур. — 1998. — Т. 24, № 9. — С. 823-831. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.

Определен интервал значений внешнего поля H, в котором существует смешанное состояние с заданной индукцией B в монокристалле высокотемпературного сверхпроводника YBa₂Cu₃Ox для случая H⊥c. Для этой цели в интервале температур 70-84 К изучены полевые зависимости вклада mn в динамическую магнитную проницаемость m¢c от индуцированного слабым переменным полем колебательного движения вихрей, который в поле H испытывает гистерезисное поведение. Показано, что природа гистерезиса μv(H) может быть объяснена в терминах взаимодействия вихревой решетки с поверхностью и обусловлена существованием гистерезиса B(H) вследствие проявления поверхностного барьера. Петли гистерезиса гистерезиса μv(H), соответствующие разным температурам, описываются универсальной зависимостью в приведенных координатах. Проведенные оценки, а также сравнение теории с экспериментом выявили сильное подавление поверхностного барьера в реальном монокристалле YBaCuO по сравнению с ожидаемым для идеальной поверхности. В результате нижняя ветвь гистерезиса μv(H), соответствующая увеличению поля H, оказывается близкой к равновесной зависимости μv(H), а поверхностный барьер существенно влияет лишь на поведение μv(H) в процессе уменьшения поля, т.е. на выход вихрей из сверхпроводника.