Резистивное состояние широких сверхпроводящих пленок и линии проскальзывания фазы (Обзор)
Рассматриваются процессы, определяющие в изотермических условиях структуру резистивного состояния пленок, широких по сравнению с глубиной проникновения λ┴ , вид вольтамперной характеристики, критические токи, гистерезисы различного происхождения, нелинейности динамического смешанного состояния и обр...
Збережено в:
| Дата: | 1996 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
1996
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/179873 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Резистивное состояние широких сверхпроводящих пленок и линии проскальзывания фазы (Обзор) / И.М. Дмитренко // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 849-869. — Бібліогр.: 84 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Рассматриваются процессы, определяющие в изотермических условиях структуру резистивного состояния пленок, широких по сравнению с глубиной проникновения λ┴ , вид вольтамперной характеристики, критические токи, гистерезисы различного происхождения, нелинейности динамического смешанного состояния и образование линий проскальзывания фазы. Рассмотрено также распределение потенциалов пар и квазичастиц в линиях проскальзывания фазы, взаимодействие линий и особенности динамики вихрей в области разбаланса зарядов. Центры проскальзывания фазы в узких сверхпроводящих каналах и взаимодействие пленок с СВЧ полями кратко упоминаются. Приведены известные результаты по В7СП материалам, а также визуальная информация, получаемая с помощью низкотемпературной лазерной сканирующей микроскопии. |
|---|