Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов

В области размерного эффекта в интервале 2-40 К измерено электросопротивление очень чистых моно-кристаллических образцов вольфрама в зависимости от их поперечных размеров и кристаллической ориентации 01раняющих плоскостей. В условиях малоуглового электрон-фононного рассеяния в модели, учитывающей за...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:1996
Автори: Старцев, В.Е., Устинов, В.В., Дикина, В.П.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 1996
Назва видання:Физика низких температур
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/179882
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов / В.Е. Старцев, В.В. Устинов, В.П. Дикина // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 943-948. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-179882
record_format dspace
spelling irk-123456789-1798822021-06-30T01:26:16Z Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов Старцев, В.Е. Устинов, В.В. Дикина, В.П. Низкотемпературная физика твердого тела В области размерного эффекта в интервале 2-40 К измерено электросопротивление очень чистых моно-кристаллических образцов вольфрама в зависимости от их поперечных размеров и кристаллической ориентации 01раняющих плоскостей. В условиях малоуглового электрон-фононного рассеяния в модели, учитывающей зависимость вероятности рассеяния электронов на поверхности от угла скольжения, рассчитаны температурные и толщинные зависимости сопротивления тонких проволок. Теоретически и экспериментально показано, что наблюдаемая температурная зависимость сопротивления близка к квадратичной, что обусловлено интерференцией электрон-фононного и электрон-поверхностного рассеяния. В області розмірного ефекту в інтервалі 2-40 К виміряно електроопір дуже чистих монокристалічних зразків вольфраму в залежності від їх поперечних розмірів і кристалографічної орієнтації обмежуючих площин. В умовах малокутового електрон-фононного розсіювання в моделі, яка ураховує залежність ймовірності розсіювання електронів на поверхні від кута ковзання, розраховано температурні і товщинні залежності опору тонких дротів. Теоретично і експериментально показано, що спостережувана температурна залежність опору близька до квадратичної, що обумовлено інтерференцією електрон-фононного і електрон-поверхневого розсіювання. The electrical resistivity of high-purity tungsten single crystals are studied in the temperature range 2-40 K under size effect condition. In the low temperature limit and in an approximation, which takes into account the change of the electron-surface scattering probability at small grazing angles, the resistivity calculations have been made. It is shown that quadratic temperature contribution to the electrical resistivity of pure metal is associated mainly with an interference between electron-phonon and electron-surface scattering. A satisfactory agreement is observed between the theory and the experiment. 1996 Article Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов / В.Е. Старцев, В.В. Устинов, В.П. Дикина // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 943-948. — Бібліогр.: 28 назв. — рос. 0132-6414 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/179882 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Низкотемпературная физика твердого тела
Низкотемпературная физика твердого тела
spellingShingle Низкотемпературная физика твердого тела
Низкотемпературная физика твердого тела
Старцев, В.Е.
Устинов, В.В.
Дикина, В.П.
Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
Физика низких температур
description В области размерного эффекта в интервале 2-40 К измерено электросопротивление очень чистых моно-кристаллических образцов вольфрама в зависимости от их поперечных размеров и кристаллической ориентации 01раняющих плоскостей. В условиях малоуглового электрон-фононного рассеяния в модели, учитывающей зависимость вероятности рассеяния электронов на поверхности от угла скольжения, рассчитаны температурные и толщинные зависимости сопротивления тонких проволок. Теоретически и экспериментально показано, что наблюдаемая температурная зависимость сопротивления близка к квадратичной, что обусловлено интерференцией электрон-фононного и электрон-поверхностного рассеяния.
format Article
author Старцев, В.Е.
Устинов, В.В.
Дикина, В.П.
author_facet Старцев, В.Е.
Устинов, В.В.
Дикина, В.П.
author_sort Старцев, В.Е.
title Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
title_short Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
title_full Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
title_fullStr Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
title_full_unstemmed Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
title_sort механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов
publisher Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
publishDate 1996
topic_facet Низкотемпературная физика твердого тела
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/179882
citation_txt Механизм рассеяния "электрон-фонон-поверхность" и его вклад в низкотемпературное электросопротивление металлов / В.Е. Старцев, В.В. Устинов, В.П. Дикина // Физика низких температур. — 1996. — Т. 22, № 8. — С. 943-948. — Бібліогр.: 28 назв. — рос.
series Физика низких температур
work_keys_str_mv AT starcevve mehanizmrasseâniâélektronfononpoverhnostʹiegovkladvnizkotemperaturnoeélektrosoprotivleniemetallov
AT ustinovvv mehanizmrasseâniâélektronfononpoverhnostʹiegovkladvnizkotemperaturnoeélektrosoprotivleniemetallov
AT dikinavp mehanizmrasseâniâélektronfononpoverhnostʹiegovkladvnizkotemperaturnoeélektrosoprotivleniemetallov
first_indexed 2023-10-18T22:48:46Z
last_indexed 2023-10-18T22:48:46Z
_version_ 1796156500873314304