2025-02-23T11:21:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-183888%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T11:21:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-183888%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T11:21:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T11:21:55-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga
З позиції спонтанної дисоціації домішки галію 2Ga²⁺ → Ga¹⁺ + Ga³⁺ у телуриді свинцю запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння, які описують утворення атомних дефектів. Показано, що на початкових етапах легування реалізується механізм заміщення галієм вакансій свинцю GaPb³⁺. Глибоке легування обумо...
Saved in:
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2005
|
| Series: | Украинский химический журнал |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/183888 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Summary: | З позиції спонтанної дисоціації домішки галію 2Ga²⁺ → Ga¹⁺ + Ga³⁺ у телуриді свинцю запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння, які описують утворення атомних дефектів. Показано, що на початкових етапах легування реалізується механізм заміщення галієм вакансій свинцю GaPb³⁺. Глибоке легування обумовлює утворення міжвузлового галію Gai³⁺ у тетрапорожнинах підгратки телуру з наступним утворенням нової фази Ga₂Te₃. Стабілізація рівня Фермі і, відповідно, концентрації електронів пов’язана з утворенням GaPb¹⁺ на обидвох етапах легування. |
|---|