Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga
З позиції спонтанної дисоціації домішки галію 2Ga²⁺ → Ga¹⁺ + Ga³⁺ у телуриді свинцю запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння, які описують утворення атомних дефектів. Показано, що на початкових етапах легування реалізується механізм заміщення галієм вакансій свинцю GaPb³⁺. Глибоке легування обумо...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2005
|
| Назва видання: | Украинский химический журнал |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/183888 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga / Д.М. Фреїк, В.М. Бойчук, Л.Й. Межиловська // Украинский химический журнал. — 2005. — Т. 71, № 6. — С. 70-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-183888 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1838882022-04-24T01:31:53Z Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga Фреїк, Д.М. Бойчук, В.М. Межиловська, Л.Й. Неорганическая и физическая химия З позиції спонтанної дисоціації домішки галію 2Ga²⁺ → Ga¹⁺ + Ga³⁺ у телуриді свинцю запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння, які описують утворення атомних дефектів. Показано, що на початкових етапах легування реалізується механізм заміщення галієм вакансій свинцю GaPb³⁺. Глибоке легування обумовлює утворення міжвузлового галію Gai³⁺ у тетрапорожнинах підгратки телуру з наступним утворенням нової фази Ga₂Te₃. Стабілізація рівня Фермі і, відповідно, концентрації електронів пов’язана з утворенням GaPb¹⁺ на обидвох етапах легування. С позиции спонтанной диссоциации примеси галлия 2Ga²⁺ → Ga¹⁺ + Ga³⁺ в теллуриде свинца предложены кристаллоквазихимические уравнения, описывающие образование атомных дефектов. Показано, что на начальных этапах легирования реализуется механизм замещения галлием вакансий свинца GaPb³⁺. Глубокое легирование обусловливает образование межузлового галлия Gai³⁺ в тетраполостях подрешетки теллура с последующим образованием новой фазы Ga₂Te₃. Стабилизация уровня Ферми и, соответственно, концентрации электронов связана с образованием GaPb¹⁺ на двух этапах легирования. The crystal-quasichemical equation, that describe the formation of atomic defects from position of spontaneous dissociation of admixture of gallium 2Ga²⁺ → Ga¹⁺ + Ga³⁺ at the lead tellurides are offered. It is shown, that on the initial stages of alloying the substitution mechanism by gallium of vacancies of the lead GaPb³⁺ will be realized. The deep alloying stipulates formation of interlattice of gallium Gai³⁺ in tetraspaces sublattice of tellurium with a next formation of a new phase Ga₂Te₃. The stabilization of Fermi level and, accordingly, the concentration of electrons was related with GaPb¹⁺ formation on the both stages of alloying. 2005 Article Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga / Д.М. Фреїк, В.М. Бойчук, Л.Й. Межиловська // Украинский химический журнал. — 2005. — Т. 71, № 6. — С. 70-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 0041–6045 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/183888 546.541.12.017+54.04:681 uk Украинский химический журнал Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Неорганическая и физическая химия Неорганическая и физическая химия |
| spellingShingle |
Неорганическая и физическая химия Неорганическая и физическая химия Фреїк, Д.М. Бойчук, В.М. Межиловська, Л.Й. Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga Украинский химический журнал |
| description |
З позиції спонтанної дисоціації домішки галію 2Ga²⁺ → Ga¹⁺ + Ga³⁺ у телуриді свинцю запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння, які описують утворення атомних дефектів. Показано, що на початкових етапах легування реалізується механізм заміщення галієм вакансій свинцю GaPb³⁺. Глибоке легування обумовлює утворення міжвузлового галію Gai³⁺ у тетрапорожнинах підгратки телуру з наступним утворенням нової фази Ga₂Te₃. Стабілізація рівня Фермі і, відповідно, концентрації електронів пов’язана з утворенням GaPb¹⁺ на обидвох етапах легування. |
| format |
Article |
| author |
Фреїк, Д.М. Бойчук, В.М. Межиловська, Л.Й. |
| author_facet |
Фреїк, Д.М. Бойчук, В.М. Межиловська, Л.Й. |
| author_sort |
Фреїк, Д.М. |
| title |
Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga |
| title_short |
Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga |
| title_full |
Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga |
| title_fullStr |
Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga |
| title_full_unstemmed |
Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga |
| title_sort |
зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах pbte : ga |
| publisher |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
| publishDate |
2005 |
| topic_facet |
Неорганическая и физическая химия |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/183888 |
| citation_txt |
Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga / Д.М. Фреїк, В.М. Бойчук, Л.Й. Межиловська // Украинский химический журнал. — 2005. — Т. 71, № 6. — С. 70-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
| series |
Украинский химический журнал |
| work_keys_str_mv |
AT freíkdm zarâdovijstangalíûímehanízmiutvorennâatomnihdefektívukristalahpbtega AT bojčukvm zarâdovijstangalíûímehanízmiutvorennâatomnihdefektívukristalahpbtega AT mežilovsʹkalj zarâdovijstangalíûímehanízmiutvorennâatomnihdefektívukristalahpbtega |
| first_indexed |
2023-10-18T22:57:53Z |
| last_indexed |
2023-10-18T22:57:53Z |
| _version_ |
1796156896110968832 |