Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga

• Дата: 2005
• Автори: Фреїк, Д.М., Бойчук, В.М., Межиловська, Л.Й.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2005
• Назва видання: Украинский химический журнал
• Теми: Неорганическая и физическая химия
• Онлайн доступ: http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/183888
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Зарядовий стан галію і механізми утворення атомних дефектів у кристалах PbTe : Ga / Д.М. Фреїк, В.М. Бойчук, Л.Й. Межиловська // Украинский химический журнал. — 2005. — Т. 71, № 6. — С. 70-74. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

З позиції спонтанної дисоціації домішки галію 2Ga²⁺ → Ga¹⁺ + Ga³⁺ у телуриді свинцю запропоновано кристалоквазіхімічні рівняння, які описують утворення атомних дефектів. Показано, що на початкових етапах легування реалізується механізм заміщення галієм вакансій свинцю GaPb³⁺. Глибоке легування обумо...