2025-02-23T03:35:28-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-184819%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T03:35:28-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-184819%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T03:35:28-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T03:35:28-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості

Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості

Методом НРНТ-кристалізації вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIb, леговані бором з розвинутими секторами росту {113} і {110}. Односекторні пластини напівпровідникового алмазу одержані при прогнозованому розкрої кристалів шляхом механічної та лазерної обробки з використанням р...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Коваленко, Т.В., Ніколенко, А.С., Івахненко, С.О., Стрельчук, В.В., Литвин, П.М., Даниленко, І.М., Заневський, О.О.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2021
Series:Доповіді НАН України
Subjects:
Матеріалознавство
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/184819
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Методом НРНТ-кристалізації вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIb, леговані бором з розвинутими секторами росту {113} і {110}. Односекторні пластини напівпровідникового алмазу одержані при прогнозованому розкрої кристалів шляхом механічної та лазерної обробки з використанням розробленого мікрофотограмметричного 3D моделювання секторальної структури. Методами раманівської та ІЧ-спектроскопії вивчено структурну досконалість, особливості дефектно-домішкового складу кристалів. Електронні властивості секторів росту та міжсекторальних меж охарактеризовано безконтактним методом силової кельвін-зонд-мікроскопії. Показано необхідність застосування визна чених оптичних і електрофізичних діагностичних методів паспортизації напівпровідникового матеріалу р-типу і перспективність використання односекторних напівпровідникових пластин для розробки конструкцій діодів Шотткі.

Similar Items