Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості

Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості

Методом НРНТ-кристалізації вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIb, леговані бором з розвинутими секторами росту {113} і {110}. Односекторні пластини напівпровідникового алмазу одержані при прогнозованому розкрої кристалів шляхом механічної та лазерної обробки з використанням р...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2021
Автори: Коваленко, Т.В., Ніколенко, А.С., Івахненко, С.О., Стрельчук, В.В., Литвин, П.М., Даниленко, І.М., Заневський, О.О.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2021
Назва видання:Доповіді НАН України
Теми:
Матеріалознавство
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/184819
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості / Т.В. Коваленко, А.С. Ніколенко, С.О. Івахненко, В.В. Стрельчук, П.М. Литвин, І.М. Даниленко, О.О. Заневський // Доповіді Національної академії наук України. — 2021. — № 6. — С. 68-77. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-184819
record_format dspace
spelling irk-123456789-1848192022-07-18T01:26:21Z Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості Коваленко, Т.В. Ніколенко, А.С. Івахненко, С.О. Стрельчук, В.В. Литвин, П.М. Даниленко, І.М. Заневський, О.О. Матеріалознавство Методом НРНТ-кристалізації вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIb, леговані бором з розвинутими секторами росту {113} і {110}. Односекторні пластини напівпровідникового алмазу одержані при прогнозованому розкрої кристалів шляхом механічної та лазерної обробки з використанням розробленого мікрофотограмметричного 3D моделювання секторальної структури. Методами раманівської та ІЧ-спектроскопії вивчено структурну досконалість, особливості дефектно-домішкового складу кристалів. Електронні властивості секторів росту та міжсекторальних меж охарактеризовано безконтактним методом силової кельвін-зонд-мікроскопії. Показано необхідність застосування визна чених оптичних і електрофізичних діагностичних методів паспортизації напівпровідникового матеріалу р-типу і перспективність використання односекторних напівпровідникових пластин для розробки конструкцій діодів Шотткі. Structurally perfect diamond single crystals of type IIb doped with boron with developed growth sectors {113} and {110} are grown by the HPHT- crystallization method. Single-sector semiconductor diamond plates are obtained by the predicted cutting of crystals by mechanical and laser treatments using the developed microphotogrammetric 3D modeling of the sector structure. Raman and IR spectroscopies have been used to study the structural perfection and peculiarities of the defect-impurity composition of crystals. The electronic properties of growth sectors and intersectoral boundaries are characterized by the non-contact method of force Kelvin probe microscopy. The necessity of using certain optical and electrophysical diagnostic methods of p-type semiconductor material certification and the prospects of using single-sector semiconductor wafers for the development of Schottky diode designs are demonstrated. 2021 Article Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості / Т.В. Коваленко, А.С. Ніколенко, С.О. Івахненко, В.В. Стрельчук, П.М. Литвин, І.М. Даниленко, О.О. Заневський // Доповіді Національної академії наук України. — 2021. — № 6. — С. 68-77. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 1025-6415 DOI: doi.org/10.15407/dopovidi2021.06.068 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/184819 548.736.15:531.748 uk Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Ukrainian
topic Матеріалознавство
Матеріалознавство
spellingShingle Матеріалознавство
Матеріалознавство
Коваленко, Т.В.
Ніколенко, А.С.
Івахненко, С.О.
Стрельчук, В.В.
Литвин, П.М.
Даниленко, І.М.
Заневський, О.О.
Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
Доповіді НАН України
description Методом НРНТ-кристалізації вирощено структурно досконалі монокристали алмазу типу IIb, леговані бором з розвинутими секторами росту {113} і {110}. Односекторні пластини напівпровідникового алмазу одержані при прогнозованому розкрої кристалів шляхом механічної та лазерної обробки з використанням розробленого мікрофотограмметричного 3D моделювання секторальної структури. Методами раманівської та ІЧ-спектроскопії вивчено структурну досконалість, особливості дефектно-домішкового складу кристалів. Електронні властивості секторів росту та міжсекторальних меж охарактеризовано безконтактним методом силової кельвін-зонд-мікроскопії. Показано необхідність застосування визна чених оптичних і електрофізичних діагностичних методів паспортизації напівпровідникового матеріалу р-типу і перспективність використання односекторних напівпровідникових пластин для розробки конструкцій діодів Шотткі.
format Article
author Коваленко, Т.В.
Ніколенко, А.С.
Івахненко, С.О.
Стрельчук, В.В.
Литвин, П.М.
Даниленко, І.М.
Заневський, О.О.
author_facet Коваленко, Т.В.
Ніколенко, А.С.
Івахненко, С.О.
Стрельчук, В.В.
Литвин, П.М.
Даниленко, І.М.
Заневський, О.О.
author_sort Коваленко, Т.В.
title Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
title_short Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
title_full Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
title_fullStr Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
title_full_unstemmed Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
title_sort напівпровідникові hpht-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості
publisher Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
publishDate 2021
topic_facet Матеріалознавство
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/184819
citation_txt Напівпровідникові HPHT-алмази як активні елементи електронних приладів: їх структурні та електронні властивості / Т.В. Коваленко, А.С. Ніколенко, С.О. Івахненко, В.В. Стрельчук, П.М. Литвин, І.М. Даниленко, О.О. Заневський // Доповіді Національної академії наук України. — 2021. — № 6. — С. 68-77. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.
series Доповіді НАН України
work_keys_str_mv AT kovalenkotv napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí
AT níkolenkoas napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí
AT ívahnenkoso napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí
AT strelʹčukvv napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí
AT litvinpm napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí
AT danilenkoím napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí
AT zanevsʹkijoo napívprovídnikovíhphtalmaziâkaktivníelementielektronnihpriladívíhstrukturnítaelektronnívlastivostí
first_indexed 2023-10-18T22:59:58Z
last_indexed 2023-10-18T22:59:58Z
_version_ 1796156987952594944

Схожі ресурси