Новi сполуки в системi Er—Ga—Si
У системі Er—Ga—Si синтезовано три нові тернарні сполуки. Методом рентгеноструктурного аналізу полікристалічних зразків визначено структуру сполуки ErGa₀.₄₁₋₀.₅₈Si₁.₂₁₋₁.₁₁ (варіант впорядкування ромбічного типу α-GdSi₂, Imma, a=0.39544(1)—0.39646(5), b=0.40185(1)—0.40385(5), c=1.33897(4)—1.3467(2)...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2007
|
| Назва видання: | Украинский химический журнал |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/185861 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Новi сполуки в системi Er—Ga—Si / С.Я. Пукас, Р. Черни, М.Б. Маняко, Р.Є. Гладишевський // Украинский химический журнал. — 2007. — Т. 73, № 11. — С. 18-26. — Бібліогр.: 27 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | У системі Er—Ga—Si синтезовано три нові тернарні сполуки. Методом рентгеноструктурного аналізу полікристалічних зразків визначено структуру сполуки ErGa₀.₄₁₋₀.₅₈Si₁.₂₁₋₁.₁₁ (варіант впорядкування ромбічного типу α-GdSi₂, Imma, a=0.39544(1)—0.39646(5), b=0.40185(1)—0.40385(5), c=1.33897(4)—1.3467(2) нм) та ErGa₁.₄₈Si₀.₅₂ (тетрагональна структура типу α-ThSi₂, I41/amd, a=0.40547(4), c=1.4310(2) нм). Кристалічну структуру сполуки Er₄Ga₂.₇₂Si₃.₂₈ розшифровано методом монокристалу; вона належить до власного ромбічного типу (C2cm, a=0.38290(10), b=2.4791(8), c=0.41998(13) нм). Цей структурний тип споріднений до типу Pr₄Al₃Ge₃, однак характеризується розщепленням двох із п’яти положень атомів та іншим розподілом атомів p-елементів по правильним системам точок. |
|---|