Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂

Методами диференційного термічного (ДТА), рентгенівського фазового (РФА) аналізів, з використанням математичного моделювання фазових рівноваг у багатокомпонентних системах на ЕОМ, досліджено характер фізико-хімічної взаємодії у квазіпотрійній системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂, побудовано відповідну про...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2010
Автори:	Козьма, А.А., Барчій, І.Є., Переш, Є.Ю., Соломон, А.М., Цигика, В.В.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України 2010
Назва видання:	Украинский химический журнал
Теми:	Неорганическая и физическая химия
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/186133
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂ / А.А. Козьма, І.Є. Барчій, Є.Ю. Переш, А.М. Соломон, В.В. Цигика // Украинский химический журнал. — 2010. — Т. 76, № 12. — С. 76-80. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-186133
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1861332022-11-06T01:24:34Z Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂ Козьма, А.А. Барчій, І.Є. Переш, Є.Ю. Соломон, А.М. Цигика, В.В. Неорганическая и физическая химия Методами диференційного термічного (ДТА), рентгенівського фазового (РФА) аналізів, з використанням математичного моделювання фазових рівноваг у багатокомпонентних системах на ЕОМ, досліджено характер фізико-хімічної взаємодії у квазіпотрійній системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂, побудовано відповідну просторову діаграму стану. Методами дифференциального термического (ДТА), рентгеновского фазового (РФА) анализов, с использованием математического моделирования на ЭВМ, исследованы фазовые равновесия в квазитройной системе SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂. Построена соответствующая пространственная диаграмма состояния. Показано, что система характеризуется сложным физико-химическим взаимодействием. Установлены границы растворимости исходных соединений и координаты нонвариантных процессов. The phase equilibria of the SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂ system were studied by differential thermal (DTA), X-ray powder diffraction (XRD) analysis and computer mathematic modulation. The space diagram of the quasiternary system was plotted. The ternary system is characterized by the complex physico-chemical interaction. The limited solid solutions are formed on base of binary and ternary compounds. The coordinates of nonvariant eutectic and peritectic interaction were established. 2010 Article Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂ / А.А. Козьма, І.Є. Барчій, Є.Ю. Переш, А.М. Соломон, В.В. Цигика // Украинский химический журнал. — 2010. — Т. 76, № 12. — С. 76-80. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. 0041–6045 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/186133 546.541.12.017 en Украинский химический журнал Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	English
topic	Неорганическая и физическая химия Неорганическая и физическая химия
spellingShingle	Неорганическая и физическая химия Неорганическая и физическая химия Козьма, А.А. Барчій, І.Є. Переш, Є.Ю. Соломон, А.М. Цигика, В.В. Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂ Украинский химический журнал
description	Методами диференційного термічного (ДТА), рентгенівського фазового (РФА) аналізів, з використанням математичного моделювання фазових рівноваг у багатокомпонентних системах на ЕОМ, досліджено характер фізико-хімічної взаємодії у квазіпотрійній системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂, побудовано відповідну просторову діаграму стану.
format	Article
author	Козьма, А.А. Барчій, І.Є. Переш, Є.Ю. Соломон, А.М. Цигика, В.В.
author_facet	Козьма, А.А. Барчій, І.Є. Переш, Є.Ю. Соломон, А.М. Цигика, В.В.
author_sort	Козьма, А.А.
title	Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
title_short	Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
title_full	Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
title_fullStr	Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
title_full_unstemmed	Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
title_sort	фазові рівноваги у системі snse₂—tl₂snse₃—tlbise₂
publisher	Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
publishDate	2010
topic_facet	Неорганическая и физическая химия
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/186133
citation_txt	Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂ / А.А. Козьма, І.Є. Барчій, Є.Ю. Переш, А.М. Соломон, В.В. Цигика // Украинский химический журнал. — 2010. — Т. 76, № 12. — С. 76-80. — Бібліогр.: 13 назв. — укр.
series	Украинский химический журнал
work_keys_str_mv	AT kozʹmaaa fazovírívnovagiusistemísnse2tl2snse3tlbise2 AT barčíjíê fazovírívnovagiusistemísnse2tl2snse3tlbise2 AT perešêû fazovírívnovagiusistemísnse2tl2snse3tlbise2 AT solomonam fazovírívnovagiusistemísnse2tl2snse3tlbise2 AT cigikavv fazovírívnovagiusistemísnse2tl2snse3tlbise2
first_indexed	2025-07-16T07:09:50Z
last_indexed	2025-07-16T07:09:50Z
_version_	1837786507990007808
fulltext	стять фосфати, силікати, луги) і пошкодження скляних волокон при їх підготовці до хімічної ме- талізації рекомендуємо використовувати в якості миючих засобів суміші ХДДП—Твін-40 різного складу, суміш ХДДП—Твін-60 з невеликим вмі- стом Твіну. РЕЗЮМЕ. Установлены механизм и условия обра- зования супрамолекулярных структур хлорид додецил- пиридиния—Твин (Твин-40, Твин-60) в объеме смешан- ных водных растворов. Проведен в рамках теории регу- лярных растворов расчет состава новообразований, па- раметра межчастичного взаимодействия и стандартной свободной энергии Гиббса смешанного мицеллообра- зования катион-неионогенных поверхностно-активных веществ. SUMMARY. The mechanism and conditions of for- mation supramolecular structures dodecylpyridinium chlo- rides—Tween (Tween-40, Tween-60) in volume of the mixed aqueous solutions are established. It is lead within the fra- mework of the theory of regular solutions calculation of structure new formations, parameter of interpartial inte- raction and standard free energy Gibbs mixed micellization cationic-nonionic surfactants. 1. Шварц А ., Перри Дж. Поверхностно-активные ве- щества (их химия и техническое применение). -М .: Инлитиздат, 1953. 2. Поверхностно-активные вещества: Синтез, анализ, свойства, применение / Под ред. А.А. Абрамзона. -Л.: Химия, 1988. 3. Плетнев М .Ю. // Успехи коллоид. химии. -Л: Хи- мия, 1991. -С. 60—82. 4. Стрельцова О.О., Волювач О.В. // Укр. хим. журн. -2004. -70, № 5. -С. 46—50. 5. Стрельцова О.О., Мунтян О.Г., Волювач О.В. // Там же. -2002. -68, № 4. -С. 91—94. 6. Шенфельд Н . Поверхностно-активные вещества на основе окиси этилена / Под ред. Н .Н . Лебедева. -М .: Химия, 1982. 7. Саввин С.Б. Поверхностно-активные вещества. -М .: Наука, 1991. 8. Lange H., Beck K.-H . // Kolloid-Z. u. Z. Polymere. -1973. -251, № 5. -S. 424—431. 9. Rubingh D.N . Solution Chemistry of Surfactants / Ed. by K.L. Mittal. -New York; London: Plenum Press., 1979. -Vol. 1. -P. 337. 10. Харитонова Т .В., Иванова Н .И., Сумм Б.Д. // Коллоид. журн. -2002. -64, № 2. -С. 249—256. 11. Писаев И .В., Соболева О.А ., Иванова Н .И. // Там же. -2009. -71, № 2. -С. 256—261. 12. Русанов А.И. Мицеллообразование в растворах по- верхностно-активных веществ. -СПб. Химия, 1992. Одеський національний університет ім. І.І. Мечникова Надійшла 05.05.2010 УДК 546.541.12.017 А.А. Козьма, І.Є. Барчій, Є.Ю. Переш, А.М. Соломон, В.В. Цигика ФАЗОВІ РІВНОВАГИ У СИСТЕМІ SnSe2—Tl2SnSe3—TlBiSe2 Методами диференційного термічного (ДТА), рентгенівського фазового (РФА) аналізів, з використанням математичного моделювання фазових рівноваг у багатокомпонентних системах на ЕОМ , досліджено харак- тер фізико-хімічної взаємодії у квазіпотрійній системі SnSe2—Tl2SnSe3—TlBiSe2, побудовано відповідну прос- торову діаграму стану. ВСТУП. Зростаюче споживання енергоресур- сів обумовлює створення та впровадження аль- тернативних джерел енергії, сприяє розробці ефе- ктивних термоелектричних матеріалів, які здатні взаємоперетворювати теплову енергію в елек- тричну. Перспективними термоелектриками є ряд халькогенідів талію [1]. Науковий інтерес також викликають складні системи, утворені талійвміс- ними сполуками. Наявність відомостей щодо характеру фізико-хімічної взаємодії у системах, де утворюються такі сполуки, дає можливість на на- уковій основі розробити технологічні умови одер- жання нових функціональних матеріалів на базі твердих розчинів та сплавів евтектичних сумішей, з вищими термоелектричними показниками, ніж вихідні індивідуальні сполуки. У даній роботі представлено результати до- слідження характеру фізико-хімічної взаємодії у Неорганическая и физическая химия © А.А. Козьма, І.Є. Барчій, Є.Ю. Переш, А.М . Соломон, В.В. Цигика , 2010 76 ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2010. Т . 76, № 12 квазіпотрійній системі SnSe2—Tl2SnSe3—TlBiSe2. Зазначена система є вторинною квазіпотрій- ною відносно вихідної Tl2Se—SnSe2—Bi2Se3 [2] і обмежується трьома квазібінарними перерізами: SnSe2—Tl2SnSe3, SnSe2—TlBiSe2 та Tl2SnSe3— TlBiSe2. Система SnSe2—Tl2SnSe3 є частковою від SnSe2—Tl2Se [3—5], характеризується наявністю проміжної тернарної сполуки Tl2Sn2Se5, яка утво- рюється за перитектичною реакцією L+SnSe2 ↔ Tl2Sn2Se5 (724 К [3], 733 К [4, 5]) і зазнає твердо- фазного розкладу Tl2Sn2Se5—SnSe2 + Tl2SnSe3 (при 648 К [3], 658 К [4, 5]). Гілки первинної кристалі- зації сполук SnSe2 та Tl2SnSe3 перетинаються у евтектичній точці, що відповідає 26 % мол. SnSe2 (724 К) [4, 5] та 36 % мол. SnSe2 (728 К) згідно з роботою [3]. Системи SnSe2—TlBiSe2 та Tl2SnSe3— TlBiSe2 характеризуються евтектичним типом вза- ємодії [2]. Сполука TlBiSe2 утворюється на квазі- бінарному перерізі Tl2Se—Bi2Se3 [6—9], плавиться конгруентно при 980 К [2, 6, 8] або 993 К [7, 10]. У роботах [8, 9] при 600 К для зазначеної сполуки наведено поліморфне перетворення, яке, однак, не виявлено авторами робіт [6, 7, 10—12]. ЕКСПЕРИМЕНТ ТА ОБГОВОРЕННЯ РЕЗУЛЬ- ТАТІВ. Синтез вихідних сполук і проміжних спла- вів, їх дослідження класичними методами фізико- хімічного аналізу здійснювали аналогічно до ме- тодик, описаних у роботі [2], а математичне моде- лювання — згідно з [12, 13]. Для вивчення характеру фізико-хімічної вза- ємодії у системі синтезували 19 подвійних та 17 потрійних сплавів. Склад сплавів підбирали та- ким чином, щоб вони знаходилися на перерізах SnSe2—Tl2SnSe3, SnSe2—TlBiSe2, Tl2SnSe3—TlBiSe2, відповідали вузлам симплексних трикутників і давали можливість встановити межі існування граничних твердих розчинів на основі бінарних і тернарних сполук. Максимальна температура синтезу складала 1053 К. Для приведення сплавів у рівноважний стан здійснювали гомогенізуючий відпал при температурі 423 К протягом 336 год. Одержані сплави досліджували методами ДТА та РФА із залученням математичного моделювання. Квазіпотрійна система SnSe2—Tl2SnSe3—TlBiSe2 утворена квазібінарними перерізами SnSe2—TlBiSe2 та Tl2SnSe3—TlBiSe2, для яких встановлено нонварі- антні евтектичні процеси: L ↔ β+σ (координати евтектики е3: 45 % мол. TlBiSe2, 727 К) і L ↔ µ’+σ (координати евтектики е4: 15 % мол. TlBiSe2, 724 К), а також частковою системою SnSe2—Tl2SnSe3, яка характеризується наявністю проміжної тернарної сполуки Tl2Sn2Se5 (утворюється за перитектичною реакцією L+β ↔ Tl2Sn2Se5 при 732 К, твердофаз- но розкладається за реакцією Tl2Sn2Se5 ↔ β+µ при 655 К) і нонваріантним евтектичним проце- сом L ↔ µ’+Tl2Sn2Se5 (координати евтектики е5: 24 % мол. SnSe2, 723 К). У дослідженій квазіпотрі- йній системі формуються граничні тверді розчи- ни: β-кристалів на основі SnSe2, σ-кристалів на ос- нові TlBiSe2, µ- та µ’-кристалів на основі низько- та високотемпературної поліморфних модифіка- цій Tl2SnSe3. Система Tl2Sn2Se5—TlBіSe2 є політермічним перерізом вторинної квазіпотрійної системи SnSe2—Tl2SnSe3—TlBіSe2 (рис. 1). Гілки первинно- го виділення β- і σ-кристалів (ліквідус системи) пе- ретинаються у точці з координатами: 18 % мол. TlBіSe2, 720 К . Перитектичний процес L+β ↔ Tl2Sn2Se5 в інтервалі 0—5 % мол. TlBіSe2 прохо- дить із пониженням температури (732—687 К), а на відрізку 5—90 % мол. TlBіSe2 — при сталій тем- пературі 687 К. Усі сплави кристалізуються при 687 К (відповідає температурі перитектичної пло- щини всередині системи SnSe2—Tl2SnSe3—TlBіSe2). Лінія нонваріантної рівноваги при 596 К відпо- відає твердофазному розкладу Tl2Sn2Se5, тому на дифрактограмах сплавів інтервалу 7—80 % мол. TlBіSe2, при температурі ізотермічного відпалу (423 К), присутні рефлекси β-, σ-, µ-фаз. За резуль- татами термічного і рентгенівського аналізів вста- новлено, що при 423 К область гомогенності спо- луки TlBіSe2 не перевищує 5 % мол. Рис. 1. Діаграма стану політермічного перерізу Tl2Sn2Se5 —TlBіSe2: 1 – L; 2 – L+β; 3 – L+σ; 4 – L+β+σ; 5 – L+β+ +Tl2Sn2Se5; 6 – Tl2Sn2Se5; 7 – σ+Tl2Sn2Se5; 8 – σ; 9 – β+ +µ; 10 – β+σ+µ; 11 – σ+µ (де β — фаза на основі спо- луки SnSe2, σ — на основі TlBіSe2, µ — Tl2SnSe3). ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2010. Т . 76, № 12 77 Переріз Tl2Sn2Se5—TlBiSe2 умовно по- діляє вихідну квазіпотрійну систему SnSe2 —Tl2SnSe3—TlBiSe2 на дві вторинні час- ткові системи: SnSe2—Tl2Sn2Se5—TlBiSe2 і Tl2Sn2Se5—Tl2SnSe3—TlBiSe2, які можна розглядати окремо. Система SnSe2—Tl2Sn2Se5—TlBiSe2 (pис. 2) характеризується проходженням моно- варіантного евтектичного процесу L ↔ ↔ β+σ (відбувається в інтервалі темпера- тур 727—720 К вздовж лінії е3—s1), який поділяє поля первинних кристалізацій ви- хідних бінарного станум (IV) селеніду та тернарної сполуки TlBiSe2. Об’єм первин- них виділень β-фази (L+β) зверху обмеже- ний поверхнею ліквідусу А’e3s1D’A’, знизу — поверхнями a7d1d7a8a7 та s1e3a2a8d7s1. Об’єм первинних виділень σ-фази (L+σ) обмежений поверхнями С’s1e3С’ (ліквідус системи) і s1e3c1c7s1. Дві трифазні області, які відповідають об’ємам вторинних виді- лень, обмежуються поверхнями, що утво- рюються переміщенням сторін конодних трикутників: s1e3c1c7s1, s1e3a8d7s1, c7a8d7c7 (L+β+σ); a7d1d7a8a1, a7d1d6a8a7, a8d6d7a8 (L+β+Tl2Sn2Se5). Трифазні об’єми вторин- них виділень поділені між собою двофаз- ним об’ємом співіснування розплаву L і пер- винних виділень β-кристалів. Нижні сто- рони об’ємів вторинних виділень утворю- ють поверхню нонваріантного перитектич- ного перетворення a8d6c7a8, на якій про- ходить процес L+β ↔ Tl2Sn2Se5+σ при 687 К. Оскільки перитектичний процес L+ +β↔ Τl2Sn2Se5 у подвійній системі Tl2SnSe3 —SnSe2 у даному концентраційному ін- тервалі відбувається з повним вичерпанням розплаву, а β-кристали залишаються у надлишку, нижче за перитектичну площи- ну трифазна область є сумішшю β-, σ- та Tl2Sn2Se5-кристалів. Площина a10d4c8a10 відповідає процесу твердофазного розкла- ду сполуки Tl2Sn2Se5 (Tl2Sn2Se5 ↔ β+µ при 596 К), тому нижче за неї тверда фаза складається із суміші β-, σ- та µ-кристалів. Області гомогенності бінарного станум (IV) селеніду та тернарної сполуки TlBiSe2 обмежені поверхнями A’a2a8a7a’, a7a9a- 10a8a7, a9a10a11a12a9, a2a8a10a11a5a2, A’a- 2a5AA’, A’a7a9a12AA’ і С’с1с7С’, с1с7с8с9- с4с1, С’с7с8с9СС’, С’с1с4СС’ відповідно. Неорганическая и физическая химия Рис. 2. Просторова діаграма стану часткової ква- зіпотрійної системи SnSe2—Tl2Sn2Se5—TlBiSe2. Рис. 3. Просторова діаграма стану часткової ква- зіпотрійної системи Tl2Sn2Se5—Tl2SnSe3—TlBiSe2. 78 ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2010. Т . 76, № 12 Сполука Tl2Sn2Se5 існує в температурному інтер- валі 732—596 К і її область обмежена площинами d1d3d1, d1d6d4d3d1, d1d3d4d6d1. У системі Tl2Sn2Se5—Tl2SnSe3—TlBiSe2 (рис. 3) відбувається більш складна фізико-хімічна вза- ємодія. Вона характеризується проходженням нон- варіантного перитектичного процесу L+β ↔ σ+ +Tl2Sn2Se5 при 687 К (площина d6U1c7d6), нон- варіантного евтектичного процесу L ↔ σ+µ’+ +Tl2Sn2Se5 при 657 К (площина d9f2c15d9), полі- морфного перетворення на основі сполуки Tl2SnSe3 при 637 К (площина d10f10c16d10) і твердофазно- го розкладу тернарної сполуки Tl2Sn2Se5: при 596 К Tl2Sn2Se5 ↔ β+µ (площина d4f11c8d4). Ліквідус системи утворюють чотири поверхні первинних кристалізацій D’pU1s1D’ (β-фази), F’e4E2e5F’ (µ’- фази), pe4E2U1p (тернарної сполуки Tl2Sn2Se5) і Ce5E2s1C’ (σ-фази). Поверхні первинних кристалізацій поділені між собою лініями моноваріантних рівноваг s1– U1 (рівноважний процес L ↔ β+σ, 720—687 К), U1–E2 (рівноважний процес L ↔ σ+Tl2Sn2Se5, 687—657 К), p–U1 (рівноважний процес L+β ↔ Tl2Sn2Se5, 732—687 К), e4–E2 (рівноважний про- цес L ↔ µ’+Tl2Sn2Se5, 723—657 К), e5–E2 (рівно- важний процес L ↔ σ+µ’, 724—657 К). Лінії моно- варіантних рівноваг перетинаються в двох нон- варіантних точках: U1 (66 % мол. Tl2SnSe3, 21 % мол. SnSe2, 13 % мол. TlBiSe2, 687 К), Е2 (74 % мол. Tl2SnSe3, 13 % мол. SnSe2, 13 % мол. TlBiSe2, 657 К). Солідус системи утворюється нонваріантною евтектичною площиною (d9f2с15d9), поверхнями закінчення первинних кристалізацій σ-фази (C’c13c15c7C’), µ’-фази (F’f1f2f3F’), сполуки Tl2Sn2Se5 (d1d2d9d6d1), а також поверхнями закінчення су- місних кристалізацій µ’+σ (f3c13c15f2f3), σ+Tl2Sn2Se5 (d6c7c15d9d6) та µ’+Tl2Sn2Se5 (f1f2d9d2f1). Область гомогенності сполуки TlBiSe2 обмежена поверх- нями C’c13c15c7C’, C’c13c14c12CC’, c13c14c16c15- c13, c7c8c16c15c7, c14c16c8c12c14, c8c9c11c8. У середині трикомпонентної системи відбу- вається евтектоїдний процес на основі поліморф- ного перетворення сполуки Tl2SnSe3. Область го- могенності сполуки Tl2SnSe3 (pис. 4) складається з трьох областей: існування кристалів µ’-фази (F ’f1- f2f3F ’, F ’f1f5f4F ’, F’f3f7f4F ’, f1f2f10f5f1, f4f5f10- f7f4), µ-фази (f4f6f10f8f4, f6f10f11f9f6, f9f11f13- f12f9, f8f11f13f14f8, f4f9f12Ff4, f4f8f14Ff4) та їх сумісної кристалізації µ’+µ (f4f5f10f7f4, f4f6- f10f8f4, f4f5f6f4, f4f7f8f4, f5f6f10f5, f7f8ff0f7). За- вдяки утворенню за перитектичною реакцією і твер- дофазному розкладу тернарна сполука Tl2Sn2Se5 існує в певному температурному інтервалі (її існування обмежене поверхнями d1d2d9d6d1, d1d2- d5d3d1, d2d9d10d3d5d2, d1d6d4d3d1). Нижче евтек- тичної площини і вище за площину твердофазно- го розкладу сполуки Tl2Sn2Se5 (d4f11c8d4) тверда фаза поділена площиною поліморфного перетво- рення (d10f10c16d10) на дві частини, які складаю- ться з кристалів σ-, µ’-фаз і сполуки Tl2Sn2Se5 (у температурному інтервалі 657—637 К), а також кристалів σ-, µ-фаз та сполуки Tl2Sn2Se5 (в темпе- ратурному інтервалі 637—596 К). Нижче площи- ни твердофазного розкладу тверда фаза є суміш- шю β-, σ- та µ-кристалів. Проведені дослідження показали, що система SnSe2—Tl2SnSe3—TlBiSe2 характеризується наяв- ністю граничних твердих розчинів на основі вихі- дних компонентів, потрійними евтектичним та пе- ритектичним процесами, поліморфізмом Tl2SnSe3 та твердофазним розкладом Tl2Sn2Se5. Утворення нових тернарних і тетрарних проміжних фаз у системі не зафіксовано. РЕЗЮМЕ. Методами дифференциального терми- ческого (ДТА), рентгеновского фазового (РФА) анали- зов, с использованием математического моделирования на ЭВМ , исследованы фазовые равновесия в квазитро- Рис. 4. Фрагмент діаграми стану часткової квазіпотрій- ної системи Tl2Sn2Se5—Tl2SnSe3—TlBiSe2 в області полі- морфного перетворення сполуки Tl2SnSe3. ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2010. Т . 76, № 12 79 йной системе SnSe2—Tl2SnSe3—TlBiSe2. Построена со- ответствующая пространственная диаграмма состояния. Показано, что система характеризуется сложным физи- ко-химическим взаимодействием. Установлены границы растворимости исходных соединений и координаты нон- вариантных процессов. SUMMARY. The phase equilibria of the SnSe2— Tl2SnSe3—TlBiSe2 system were studied by differential thermal (DTA), X-ray powder diffraction (XRD) analysis and computer mathematic modulation. The space diagram of the quasiternary system was plotted. The ternary system is characterized by the complex physico-chemical interac- tion. The limited solid solutions are formed on base of bi- nary and ternary compounds. The coordinates of nonva- riant eutectic and peritectic interaction were established. 1. Шевельков А .В. // Успехи химии. -2008. -77, № 1. -С. 3—21. 2. Козьма А .А ., Переш Є.Ю., Барчій І.Є., Цигика В.В. // Укр. хім. журн. -2010. -76, № 4. -С. 80—84. 3. Houenou P., Eholie R . // C. R. Acad. Sc. Paris. -1976. -C283, № 16. -Р. 731—733. 4. Али Аларик Готук, Бабанлы М .Б., Кулиев А .А . // Азерб. хим. журн. -1977. -№ 6. -С. 128—130. 5. Лазарев В.Б., Переш Е.Ю., Староста В.И., Мудрый В.В. // Журн. неорган. химии. -1985. -30, № 6. -С. 1502—1506. 6. Збигли К.Р., Раевский С.Д. // Неорган. материалы. -1984. -20, №2. -С. 211—214. 7. Барчий И .Е., Переш Е.Ю., Лазарев В.Б. и др. // Там же. -1988. -24, №11. -С. 1791—1795. 8. Бабанлы М .Б., Замани И.С., Азизулла Ахмадьяр, Кулиев А .А . // Журн. неорган. химии. -1990. -35, № 5. -С. 1285—1289. 9. Бабанлы М .Б., Поповкин Б.А ., Замани И.С., Гусей- нова Р.Р. // Там же. -2003. -48, № 12. -С. 2091—2096. 10. Гицу Д.В., Канцер В.Г, Попович Н .С. Тройные узко- зонные полупроводники АІІІВVС2 VI и их твердые растворы. -Кишинев: “Штиинца”, 1986. -С. 308. 11. Козьма А .А ., Переш Є.Ю., Барчій І.Є. та ін. // Вісн. УжНУ. Сер. хім. -2008. -Вип. 19–20. -С. 89—92. 12. Козьма А .А ., Барчій І.Є., Переш Є.Ю., Цигика В.В. // Там же. -2009. -Вип. 21. -С. 6—12. 13. Барчій І.Є. // Укр. хим. журн. -2001. -67, № 11. -С. 18—23. Ужгородський національний університет Надійшла 04.06.2010 УДК 541.183.12+546.273+546.831.4-36 Ю.М. Вольфкович, Ю.С. Дзязько, В.Е. Сосенкин, Н.Ф. Никольская МЕТОД ЭТАЛОННОЙ КОНТАКТНОЙ ПОРОМЕТРИИ ДЛЯ ДИАГНОСТИКИ КЕРАМИЧЕСКИХ МЕМБРАН , МОДИФИЦИРОВАННЫХ НАНОЧАСТИЦАМИ НЕОРГАНИЧЕСКОГО ИОНИТА Для исследования структуры неорганических композиционных мембран, модифицированных наночастица- ми неорганического ионита гидратированного диоксида циркония, использован метод эталонной контактной порометрии. Порограммы разложены на лоренцовы составляющие, отнесение которых к структурным эле- ментам матрицы и ионита рассчитано по гомогенной и гетерогенной глобулярным моделям. Справедливость такого подхода подтверждена данными сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии. Показано, что зарядовая селективность мембран обусловлена закупоркой матрицы агрегатами наночастиц ионита; размер пор, определяющих это свойство, оценен как 14 нм. ВВЕДЕНИЕ. В отличие от полимерных неор- ганические мембраны характеризуются высокой химической и термической стабильностью, а так- же значительной механической прочностью и ус- тойчивостью к загрязнению органическими ве- ществами [1]. Благодаря этим уникальным качес- твам неорганические материалы широко приме- няются в баромембранных процессах разделения [1, 2]. Периодически рассматривается возможность использования неорганических материалов и для электрохимически стимулированного разделения [3, 4], тем не менее отсутствие зарядовой селек- тивности обусловливает низкую производитель- ность и высокую энергоемкость таких процессов. Отсутствие избирательности мембран по отноше- нию к ионам того или иного знака заряда опреде- ляется тем, что известные способы синтеза неор- ганических мембран, в частности, нанесение акти- Неорганическая и физическая химия © Ю .М . Вольфкович, Ю.С. Дзязько, В.Е. Сосенкин, Н .Ф . Никольская , 2010 80 ISSN 0041-6045. УКР. ХИМ . ЖУРН . 2010. Т . 76, № 12

Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂

Репозитарії

Схожі ресурси