Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения
Методом химического осаждения из газовой фазы стимулированного низкотемпературной плазмой β-дикетонатa индия получены покрытия оксида индия на стеклянных, сапфировых и кремниевых подложках. Анализ методами сканирующей электронной микроскопии и электронной микроскопии высокого разрешения показывает,...
Збережено в:
Дата: | 2011 |
---|---|
Автори: | , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2011
|
Назва видання: | Украинский химический журнал |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/186259 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения / А.И. Герасимчук, Л.И Железнова, Е.А. Мазуренко, Н. Мурафа, А.А. Роговцов, Я. Шубрт // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-186259 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1862592022-11-11T01:25:14Z Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения Герасимчук, А.И. Железнова, Л.И. Мазуренко, Е.А. Мурафа, Н. Роговцов, А.А. Шубрт, Я. Неорганическая и физическая химия Методом химического осаждения из газовой фазы стимулированного низкотемпературной плазмой β-дикетонатa индия получены покрытия оксида индия на стеклянных, сапфировых и кремниевых подложках. Анализ методами сканирующей электронной микроскопии и электронной микроскопии высокого разрешения показывает, что в результате этого образуются регулярные наноостровные структуры, морфология и пространственное размещение которых определяет температурную зависимость электропроводимости и оптического пропускания. Изучены также зависимости электрофизических и оптических свойств от условий осаждения. Отмечена перспективность применения тонких пленок и наноостровных структур оксида индия для современных нанотехнологических целей. Методом хімічного осадження з газової фази стимульованого низькотемпературною плазмою β-дикетонату індію отримані покриття оксиду індію на скляних і кремнієвих підкладках. Аналіз методами скануючої електронної мікроскопії та електронної мікроскопії високої роздільної здатності показує, що в результаті цього утворюються регулярні наноострівні структури, морфологія і просторове розміщення яких визначає температурну залежність електропровідності та оптичного пропускання. Вивчено залежності електрофізичних і оптичних властивостей від умов осадження. The method of chemical vapor deposition stimulated by low-temperature plasma β-diketonates of indium obtained indium oxide coating on glass and silicon substrates. Analysis of scanning electron microscopy and electron microscopy, high resolution shows that as a result of the formation of regular nano-island structure, morphology and spatial distribution of which determines the temperature dependence of electrical conductivity and optical transmission. We study the dependence of the electrical and optical properties of the deposition conditions. The promising applications of thin films and nano-island structures of indium oxide for modern nanotechnology purposes are signified. 2011 Article Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения / А.И. Герасимчук, Л.И Железнова, Е.А. Мазуренко, Н. Мурафа, А.А. Роговцов, Я. Шубрт // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. 0041–6045 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/186259 541.49+544.72 ru Украинский химический журнал Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Неорганическая и физическая химия Неорганическая и физическая химия |
spellingShingle |
Неорганическая и физическая химия Неорганическая и физическая химия Герасимчук, А.И. Железнова, Л.И. Мазуренко, Е.А. Мурафа, Н. Роговцов, А.А. Шубрт, Я. Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения Украинский химический журнал |
description |
Методом химического осаждения из газовой фазы стимулированного низкотемпературной плазмой β-дикетонатa индия получены покрытия оксида индия на стеклянных, сапфировых и кремниевых подложках. Анализ методами сканирующей электронной микроскопии и электронной микроскопии высокого разрешения показывает, что в результате этого образуются регулярные наноостровные структуры, морфология и пространственное размещение которых определяет температурную зависимость электропроводимости и оптического пропускания. Изучены также зависимости электрофизических и оптических свойств от условий осаждения. Отмечена перспективность применения тонких пленок и наноостровных структур оксида индия для современных нанотехнологических целей. |
format |
Article |
author |
Герасимчук, А.И. Железнова, Л.И. Мазуренко, Е.А. Мурафа, Н. Роговцов, А.А. Шубрт, Я. |
author_facet |
Герасимчук, А.И. Железнова, Л.И. Мазуренко, Е.А. Мурафа, Н. Роговцов, А.А. Шубрт, Я. |
author_sort |
Герасимчук, А.И. |
title |
Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения |
title_short |
Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения |
title_full |
Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения |
title_fullStr |
Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения |
title_full_unstemmed |
Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения |
title_sort |
плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения |
publisher |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
publishDate |
2011 |
topic_facet |
Неорганическая и физическая химия |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/186259 |
citation_txt |
Плазмохимический синтез, структура тонких плeнок оксида индия и зависимость их электрофизических и оптических свойств от режимов осаждения / А.И. Герасимчук, Л.И Железнова, Е.А. Мазуренко, Н. Мурафа, А.А. Роговцов, Я. Шубрт // Украинский химический журнал. — 2011. — Т. 77, № 3. — С. 3-6. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
series |
Украинский химический журнал |
work_keys_str_mv |
AT gerasimčukai plazmohimičeskijsintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvojstvotrežimovosaždeniâ AT železnovali plazmohimičeskijsintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvojstvotrežimovosaždeniâ AT mazurenkoea plazmohimičeskijsintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvojstvotrežimovosaždeniâ AT murafan plazmohimičeskijsintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvojstvotrežimovosaždeniâ AT rogovcovaa plazmohimičeskijsintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvojstvotrežimovosaždeniâ AT šubrtâ plazmohimičeskijsintezstrukturatonkihplenokoksidaindiâizavisimostʹihélektrofizičeskihioptičeskihsvojstvotrežimovosaždeniâ |
first_indexed |
2023-10-18T23:03:13Z |
last_indexed |
2023-10-18T23:03:13Z |
_version_ |
1796157126724288512 |