Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆
Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з атома домішки, який заміщує у матриці катіон чи аніон, та аніонної або катіонної вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легованих елементами першої (Cu, Ag, Au) та сьомої (Cl...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2012
|
| Назва видання: | Украинский химический журнал |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/187812 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ / І.В.Горічок // Украинский химический журнал. — 2012. — Т. 78, № 12. — С. 107-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з атома домішки, який заміщує у матриці катіон чи аніон, та аніонної або катіонної вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легованих елементами першої (Cu, Ag, Au) та сьомої (Cl, Br, I) груп періодичної таблиці. На основі отриманих результатів проведено порівняльний аналіз ймовірності утворення зазначених комплексів у кристалах А₂B₆. |
|---|