Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆
Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з атома домішки, який заміщує у матриці катіон чи аніон, та аніонної або катіонної вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легованих елементами першої (Cu, Ag, Au) та сьомої (Cl...
Збережено в:
| Видавець: | Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2012
|
| Назва видання: | Украинский химический журнал |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/187812 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ / І.В.Горічок // Украинский химический журнал. — 2012. — Т. 78, № 12. — С. 107-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-187812 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1878122023-01-27T01:26:37Z Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ Горічок, І.В. Неорганическая и физическая химия Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з атома домішки, який заміщує у матриці катіон чи аніон, та аніонної або катіонної вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легованих елементами першої (Cu, Ag, Au) та сьомої (Cl, Br, I) груп періодичної таблиці. На основі отриманих результатів проведено порівняльний аналіз ймовірності утворення зазначених комплексів у кристалах А₂B₆. Определены энтальпии образования комплексов точечных дефектов, состоящие из атома примеси, замещающего в матрице катион или анион, и анионной или катионной вакансии в соседнем узле. Расчет проведен для кристаллов ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легированных элементами первой (Cu, Ag, Au) и седьмой (Cl, Br, I) группы периодической таблицы. На основе полученных результатов проведен сравнительный анализ вероятности образования указанных комплексов в кристаллах А₂B₆. Determined the enthalpy of formation of complexes of point defects consisting of impurity atoms, which replaces the matrix cation or anion, and anionic or cationic vacancies in the neighboring node. The calculation was carried out for crystals ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, doped elements first (Cu, Ag, Au) and seventh (Cl, Br, I) groups of the periodic table. Based on the results of comparative analysis of the probability of formation of these complexes in A₂B₆ crystals. 2012 Article Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ / І.В.Горічок // Украинский химический журнал. — 2012. — Т. 78, № 12. — С. 107-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. 0041–6045 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/187812 621.794’4: 546.48’24 uk Украинский химический журнал Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Неорганическая и физическая химия Неорганическая и физическая химия |
| spellingShingle |
Неорганическая и физическая химия Неорганическая и физическая химия Горічок, І.В. Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ Украинский химический журнал |
| description |
Визначено ентальпії утворення комплексів точкових дефектів, що складаються з атома домішки, який заміщує у матриці катіон чи аніон, та аніонної або катіонної вакансії у сусідньому вузлі. Розрахунок проведено для кристалів ZnSe, ZnTe, CdSe, CdTe, легованих елементами першої (Cu, Ag, Au) та сьомої (Cl, Br, I) груп періодичної таблиці. На основі отриманих результатів проведено порівняльний аналіз ймовірності утворення зазначених комплексів у кристалах А₂B₆. |
| format |
Article |
| author |
Горічок, І.В. |
| author_facet |
Горічок, І.В. |
| author_sort |
Горічок, І.В. |
| title |
Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ |
| title_short |
Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ |
| title_full |
Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ |
| title_fullStr |
Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ |
| title_full_unstemmed |
Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ |
| title_sort |
ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах а₂b₆ |
| publisher |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
| publishDate |
2012 |
| topic_facet |
Неорганическая и физическая химия |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/187812 |
| citation_txt |
Ентальпії утворення домішково-вакансійних комплексів у кристалах А₂B₆ / І.В.Горічок // Украинский химический журнал. — 2012. — Т. 78, № 12. — С. 107-110. — Бібліогр.: 18 назв. — укр. |
| series |
Украинский химический журнал |
| work_keys_str_mv |
AT goríčokív entalʹpííutvorennâdomíškovovakansíjnihkompleksívukristalaha2b6 |
| first_indexed |
2023-10-18T23:06:56Z |
| last_indexed |
2023-10-18T23:06:56Z |
| _version_ |
1796157287738376192 |