Іонна провідність нестехіометричних фторидів самарію
Мостовим методом на змінному струмі в температурному інтервалі 773—298 К при частоті 70 кГц досліджено провідність таблетованих зразків нестехіометричних сполук самарію. На логарифмічних залежностях провідності від оберненої температури для всіх досліджених сполук зареєстровано дві прямолінійні діль...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2013
|
| Назва видання: | Украинский химический журнал |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/187934 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Іонна провідність нестехіометричних фторидів самарію / О.П. Іваненко, Н.М. Компаніченко, Р.М. Пшеничний, А.О. Омельчук // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 5. — С. 9-12. — Бібліогр.: 12 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Мостовим методом на змінному струмі в температурному інтервалі 773—298 К при частоті 70 кГц досліджено провідність таблетованих зразків нестехіометричних сполук самарію. На логарифмічних залежностях провідності від оберненої температури для всіх досліджених сполук зареєстровано дві прямолінійні дільниці, характерні для фарадеївського фазового переходу. Схожий характер температурних залежностей провідності базової структури та надструктури, однаковий порядок провідності та незначна різниця енергій активації на подібних дільницях дає підстави вважати, що провідність даних сполук обумовлена іонним переносом. |
|---|