Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C
Методом рентгенівського фазового та рентгеноструктурного аналізів досліджено відпалені при 800 °С сплави системи Gd—Si—Ga.
Збережено в:
Дата: | 2013 |
---|---|
Автори: | , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України
2013
|
Назва видання: | Украинский химический журнал |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/187998 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C / Н.В. Головата, В.Я. Марків, Н.М. Білявина // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 8. — С. 102-105. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-187998 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-1879982023-02-10T01:27:39Z Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C Головата, Н.В. Марків, В.Я. Білявина, Н.М. Неорганическая и физическая химия Методом рентгенівського фазового та рентгеноструктурного аналізів досліджено відпалені при 800 °С сплави системи Gd—Si—Ga. Методом рентгеновского фазового и рентгеноструктурного анализов исследованы отожженные при 800 °С сплавы системы Gd—Si—Ga. The annealed at 800 °C alloys of the іGd—Si—Ga system have been studied by means of X-Ray powder diffraction. 2013 Article Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C / Н.В. Головата, В.Я. Марків, Н.М. Білявина // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 8. — С. 102-105. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. 0041–6045 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/187998 669.018.1:862’782’87 uk Украинский химический журнал Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Ukrainian |
topic |
Неорганическая и физическая химия Неорганическая и физическая химия |
spellingShingle |
Неорганическая и физическая химия Неорганическая и физическая химия Головата, Н.В. Марків, В.Я. Білявина, Н.М. Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C Украинский химический журнал |
description |
Методом рентгенівського фазового та рентгеноструктурного аналізів досліджено відпалені при 800 °С сплави системи Gd—Si—Ga. |
format |
Article |
author |
Головата, Н.В. Марків, В.Я. Білявина, Н.М. |
author_facet |
Головата, Н.В. Марків, В.Я. Білявина, Н.М. |
author_sort |
Головата, Н.В. |
title |
Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C |
title_short |
Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C |
title_full |
Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C |
title_fullStr |
Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C |
title_full_unstemmed |
Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C |
title_sort |
ізотермічний переріз діаграми стану системи gd—si—ga при 800 °c |
publisher |
Інститут загальної та неорганічної хімії ім. В.І. Вернадського НАН України |
publishDate |
2013 |
topic_facet |
Неорганическая и физическая химия |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/187998 |
citation_txt |
Ізотермічний переріз діаграми стану системи Gd—Si—Ga при 800 °C / Н.В. Головата, В.Я. Марків, Н.М. Білявина // Украинский химический журнал. — 2013. — Т. 79, № 8. — С. 102-105. — Бібліогр.: 13 назв. — укр. |
series |
Украинский химический журнал |
work_keys_str_mv |
AT golovatanv ízotermíčnijpererízdíagramistanusistemigdsigapri800c AT markívvâ ízotermíčnijpererízdíagramistanusistemigdsigapri800c AT bílâvinanm ízotermíčnijpererízdíagramistanusistemigdsigapri800c |
first_indexed |
2023-10-18T23:07:24Z |
last_indexed |
2023-10-18T23:07:24Z |
_version_ |
1796157305516982272 |