Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії
Системи самоорганiзованих нанокластерiв Si та Ge одержано методом молекулярно-променевої епiтаксiї на первiсно аморфному оксидованому шарi SiOx (x ≤ 2). На вiдмiну вiд нанокластерiв Si, якi виявляють ознаки монокристалiчностi: боковi фасети {113} з характерними кутами нахилу приблизно 25º та верхнiм...
Збережено в:
| Дата: | 2010 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2010
|
| Назва видання: | Доповіді НАН України |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/19255 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії / Ю.М. Козирев, М.Т. Картель, М.Ю. Рубежанська, В.К. Скляр, Н.В. Дмитрук, К. Тайхерт, К. Хофер // Доп. НАН України. — 2010. — № 1. — С. 71-76. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-19255 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-192552011-04-24T12:03:07Z Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії Козирев, Ю.М. Картель, М.Т. Рубежанська, М.Ю. Скляр, В.К. Дмитрук, Н.В. Тайхерт, К. Хофер, К. Фізика Системи самоорганiзованих нанокластерiв Si та Ge одержано методом молекулярно-променевої епiтаксiї на первiсно аморфному оксидованому шарi SiOx (x ≤ 2). На вiдмiну вiд нанокластерiв Si, якi виявляють ознаки монокристалiчностi: боковi фасети {113} з характерними кутами нахилу приблизно 25º та верхнiми терасами (100), нанокластери Ge набувають форми напiвсфер з низьким спiввiдношенням латерального розмiру нанокластера до висоти β. Запропоновано механiзм формування таких систем. Self-assembled Si and Ge nanoclusters are prepared by molecular-beam epitaxy on an initially amorphous silicon oxide SiOx (x ≤ 2) layer. In contrast to Si nanoclusters that seem to show monocrystalline features: {113} side facets with characteristic angles of about 25 º and top (100) terraces, the formed Ge nanoclusters take a shape of hemispheres with a lower ratio of the nanocluster lateral size to height β. A mechanism of formation of such a system is proposed. 2010 Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії / Ю.М. Козирев, М.Т. Картель, М.Ю. Рубежанська, В.К. Скляр, Н.В. Дмитрук, К. Тайхерт, К. Хофер // Доп. НАН України. — 2010. — № 1. — С. 71-76. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. 1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/19255 537.311.322 uk Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| topic |
Фізика Фізика |
| spellingShingle |
Фізика Фізика Козирев, Ю.М. Картель, М.Т. Рубежанська, М.Ю. Скляр, В.К. Дмитрук, Н.В. Тайхерт, К. Хофер, К. Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії Доповіді НАН України |
| description |
Системи самоорганiзованих нанокластерiв Si та Ge одержано методом молекулярно-променевої епiтаксiї на первiсно аморфному оксидованому шарi SiOx (x ≤ 2). На вiдмiну вiд нанокластерiв Si, якi виявляють ознаки монокристалiчностi: боковi фасети {113} з характерними кутами нахилу приблизно 25º та верхнiми терасами (100), нанокластери Ge набувають форми напiвсфер з низьким спiввiдношенням латерального розмiру нанокластера до висоти β. Запропоновано механiзм формування таких систем. |
| author |
Козирев, Ю.М. Картель, М.Т. Рубежанська, М.Ю. Скляр, В.К. Дмитрук, Н.В. Тайхерт, К. Хофер, К. |
| author_facet |
Козирев, Ю.М. Картель, М.Т. Рубежанська, М.Ю. Скляр, В.К. Дмитрук, Н.В. Тайхерт, К. Хофер, К. |
| author_sort |
Козирев, Ю.М. |
| title |
Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії |
| title_short |
Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії |
| title_full |
Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії |
| title_fullStr |
Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії |
| title_full_unstemmed |
Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії |
| title_sort |
дослідження систем нанокластерів si та ge на поверхні siox/si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| publishDate |
2010 |
| topic_facet |
Фізика |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/19255 |
| citation_txt |
Дослідження систем нанокластерів Si та Ge на поверхні SiOx/Si, одержаних методом молекулярно-променевої епітаксії / Ю.М. Козирев, М.Т. Картель, М.Ю. Рубежанська, В.К. Скляр, Н.В. Дмитрук, К. Тайхерт, К. Хофер // Доп. НАН України. — 2010. — № 1. — С. 71-76. — Бібліогр.: 11 назв. — укр. |
| series |
Доповіді НАН України |
| work_keys_str_mv |
AT kozirevûm doslídžennâsistemnanoklasterívsitagenapoverhnísioxsioderžanihmetodommolekulârnopromenevoíepítaksíí AT kartelʹmt doslídžennâsistemnanoklasterívsitagenapoverhnísioxsioderžanihmetodommolekulârnopromenevoíepítaksíí AT rubežansʹkamû doslídžennâsistemnanoklasterívsitagenapoverhnísioxsioderžanihmetodommolekulârnopromenevoíepítaksíí AT sklârvk doslídžennâsistemnanoklasterívsitagenapoverhnísioxsioderžanihmetodommolekulârnopromenevoíepítaksíí AT dmitruknv doslídžennâsistemnanoklasterívsitagenapoverhnísioxsioderžanihmetodommolekulârnopromenevoíepítaksíí AT tajhertk doslídžennâsistemnanoklasterívsitagenapoverhnísioxsioderžanihmetodommolekulârnopromenevoíepítaksíí AT hoferk doslídžennâsistemnanoklasterívsitagenapoverhnísioxsioderžanihmetodommolekulârnopromenevoíepítaksíí |
| first_indexed |
2023-10-18T17:04:14Z |
| last_indexed |
2023-10-18T17:04:14Z |
| _version_ |
1796140599450009600 |