Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.)
Розроблено чисельну процедуру розрахунків вольт-амперних характеристик, яку застосовано для аналізу InSb-діода з p-n-переходом. Визначено оптимальний профіль легування елекрично активної домішки. Показано, що для досягнення високої ефективності фотодетектування потрібно застосовувати мультиенергети...
Збережено в:
Дата: | 2023 |
---|---|
Автор: | |
Формат: | Стаття |
Мова: | Ukrainian |
Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2023
|
Назва видання: | Вісник НАН України |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/192915 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) / О.В. Дубіковський // Вісник Національної академії наук України. — 2023. — № 2. — С. 79-84. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Розроблено чисельну процедуру розрахунків вольт-амперних характеристик, яку застосовано для аналізу InSb-діода з p-n-переходом. Визначено оптимальний профіль легування елекрично активної домішки. Показано,
що для досягнення високої ефективності фотодетектування потрібно застосовувати мультиенергетичну іонну імплантацію з енергією від 20 до
200 кеВ. Відповідну технологію було реалізовано. На різних етапах процесу використовували методи мас-спектрометрії вторинних іонів, що дало можливість коригувати технологічні параметри, зокрема контролювати
профілі розподілу домішок. Встановлено, що оксиди індію та антимоніду,
а також сегрегація антимоніду призводять до витоків струму. Знайдено
режими додаткової обробки, які знижують такі паразитні ефекти. Досліджено процеси пасивації діодних структур і показано, що оптимальними
покриттями є плівки нітриду кремнію. Розроблено технологію та виготовлено експериментальні зразки фотодіодів. |
---|