Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.)

Розроблено чисельну процедуру розрахунків вольт-амперних характеристик, яку застосовано для аналізу InSb-діода з p-n-переходом. Визначено оптимальний профіль легування елекрично активної домішки. Показано, що для досягнення високої ефективності фотодетектування потрібно застосовувати мультиенергети...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2023
Автор:	Дубіковський, О.В.
Формат:	Стаття
Мова:	Ukrainian
Опубліковано:	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2023
Назва видання:	Вісник НАН України
Теми:	Молоді вчені
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/192915
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) / О.В. Дубіковський // Вісник Національної академії наук України. — 2023. — № 2. — С. 79-84. — Бібліогр.: 7 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-192915
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-1929152023-07-20T20:53:22Z Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) Дубіковський, О.В. Молоді вчені Розроблено чисельну процедуру розрахунків вольт-амперних характеристик, яку застосовано для аналізу InSb-діода з p-n-переходом. Визначено оптимальний профіль легування елекрично активної домішки. Показано, що для досягнення високої ефективності фотодетектування потрібно застосовувати мультиенергетичну іонну імплантацію з енергією від 20 до 200 кеВ. Відповідну технологію було реалізовано. На різних етапах процесу використовували методи мас-спектрометрії вторинних іонів, що дало можливість коригувати технологічні параметри, зокрема контролювати профілі розподілу домішок. Встановлено, що оксиди індію та антимоніду, а також сегрегація антимоніду призводять до витоків струму. Знайдено режими додаткової обробки, які знижують такі паразитні ефекти. Досліджено процеси пасивації діодних структур і показано, що оптимальними покриттями є плівки нітриду кремнію. Розроблено технологію та виготовлено експериментальні зразки фотодіодів. A numerical procedure for calculating the current-voltage characteristics was developed, which was applied to the analysis of an InSb diode with a p-n junction, and the optimal doping profile of an electrically active impurity was determined. It has been shown that to achieve a high efficiency of photodetection, it is necessary to use multi-energy ion implantation with energies from 20 to 200 keV. The corresponding technology was implemented, and secondary ion mass spectrometry methods were used at different stages of the process, which made it possible to adjust the technological parameters, in particular, control the impurity distribution profiles. It has been established that oxides of indium and antimonide, as well as segregation of antimonide, lead to current leakages, additional processing modes have been found that lead to a decrease in such parasitic effects. The processes of passivation of diode structures have been studied and it has been shown that silicon nitride films are the optimal coatings. A technology has been developed and experimental models of photodiodes have been manufactured. 2023 Article Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) / О.В. Дубіковський // Вісник Національної академії наук України. — 2023. — № 2. — С. 79-84. — Бібліогр.: 7 назв. — укр. 0372-6436 DOI: doi.org/10.15407/visn2023.02.079 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/192915 uk Вісник НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
topic	Молоді вчені Молоді вчені
spellingShingle	Молоді вчені Молоді вчені Дубіковський, О.В. Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) Вісник НАН України
description	Розроблено чисельну процедуру розрахунків вольт-амперних характеристик, яку застосовано для аналізу InSb-діода з p-n-переходом. Визначено оптимальний профіль легування елекрично активної домішки. Показано, що для досягнення високої ефективності фотодетектування потрібно застосовувати мультиенергетичну іонну імплантацію з енергією від 20 до 200 кеВ. Відповідну технологію було реалізовано. На різних етапах процесу використовували методи мас-спектрометрії вторинних іонів, що дало можливість коригувати технологічні параметри, зокрема контролювати профілі розподілу домішок. Встановлено, що оксиди індію та антимоніду, а також сегрегація антимоніду призводять до витоків струму. Знайдено режими додаткової обробки, які знижують такі паразитні ефекти. Досліджено процеси пасивації діодних структур і показано, що оптимальними покриттями є плівки нітриду кремнію. Розроблено технологію та виготовлено експериментальні зразки фотодіодів.
format	Article
author	Дубіковський, О.В.
author_facet	Дубіковський, О.В.
author_sort	Дубіковський, О.В.
title	Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.)
title_short	Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.)
title_full	Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.)
title_fullStr	Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.)
title_full_unstemmed	Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.)
title_sort	мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних іч-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні президії нан україни 28 грудня 2022 р.)
publisher	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
publishDate	2023
topic_facet	Молоді вчені
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/192915
citation_txt	Мас-спектрометричні дослідження в технології виготовлення багатоелементних ІЧ-фотоприймачів на основі антимоніду індію (за матеріалами наукового повідомлення на засіданні Президії НАН України 28 грудня 2022 р.) / О.В. Дубіковський // Вісник Національної академії наук України. — 2023. — № 2. — С. 79-84. — Бібліогр.: 7 назв. — укр.
series	Вісник НАН України
work_keys_str_mv	AT dubíkovsʹkijov masspektrometričnídoslídžennâvtehnologíívigotovlennâbagatoelementnihíčfotoprijmačívnaosnovíantimoníduíndíûzamateríalaminaukovogopovídomlennânazasídanníprezidíínanukraíni28grudnâ2022r
first_indexed	2023-10-18T23:19:13Z
last_indexed	2023-10-18T23:19:13Z
_version_	1796157805070123008

Репозитарії

Схожі ресурси