IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals

For the first time, information on the surface relief of the layered GaS and doped GaS:Yb single crystals subjected to gamma-irradiation was obtained using atomic force microscopy (AFM) and Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR). It was found that GaS is characterized by a non-uniform distri...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2019
Автори: Pashayev, A.M., Tagiyev, B.G., Madatov, R.S., Gadzhieva, N.N., Aliev, A.A., Asadov, F.G.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2019
Назва видання:Вопросы атомной науки и техники
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/194934
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals / A.M. Pashayev, B.G. Tagiyev, R.S. Madatov, N.N. Gadzhieva, A.A. Aliev, F.G. Asadov // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 2. — С. 34-38. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-194934
record_format dspace
spelling irk-123456789-1949342023-12-01T18:09:50Z IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals Pashayev, A.M. Tagiyev, B.G. Madatov, R.S. Gadzhieva, N.N. Aliev, A.A. Asadov, F.G. Physics of radiation damages and effects in solids For the first time, information on the surface relief of the layered GaS and doped GaS:Yb single crystals subjected to gamma-irradiation was obtained using atomic force microscopy (AFM) and Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR). It was found that GaS is characterized by a non-uniform distribution of irregularities with different heights and periodicities, and when doping crystals with Yb atoms, the distribution of irregularities becomes more orderly, the height and periodicity of irregularities decreases. In the FTIR spectra, changes in the reflection coefficients of the surface of GaS and GaS:Yb single crystals are observed as a function of the gammairradiation dose (Фγ = 30…200 krad), and on the basis of spectroscopic and microscopic changes, it was found that doped single crystals are the most radiation-resistant. Вперше методами атомно-силової мікроскопії (АСМ) і ІК-фур'є-спектроскопії отримано інформацію про рельєф поверхні нелегованих GaS і легованих монокристалів GaS:Yb, підданих гамма-опроміненню. Встановлено, що для монокристалів GaS характерний нерівномірний розподіл нерівностей з різною висотою і періодичністю, а при легуванні кристалів атомами Yb розподіл нерівностей упорядкується, їх висота і періодичність зменшаться. В ІК-фур’є-спектрах спостерігаються зміни коефіцієнтів відбиття поверхні монокристалів GaS і GaS:Yb в залежності від дози гамма-опромінення (Фγ = 30...200 крад), і на основі цих змін встановлено, що леговані монокристали є більш радіаційно стійкими. Впервые методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и ИК-фурье-спектроскопии получена информация о рельефе поверхности нелегированных GaS и легированных монокристаллов GaS:Yb, подвергнутых гамма-облучению. Установлено, что для монокристаллов GaS характерно неравномерное распределение неровностей с различной высотой и периодичностью, а при легировании кристаллов атомами Yb распределение неровностей упорядочится, их высота и периодичность уменьшатся. В ИК-фурьеспектрах наблюдаются изменения коэффициентов отражения поверхности монокристаллов GaS и GaS:Yb в зависимости от дозы гамма-облучения (Фγ = 30…200 крад), и на основе этих изменений установлено, что легированные монокристаллы являются более радиационно стойкими. 2019 Article IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals / A.M. Pashayev, B.G. Tagiyev, R.S. Madatov, N.N. Gadzhieva, A.A. Aliev, F.G. Asadov // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 2. — С. 34-38. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 78.30.Fs; 61.80.Ed; 61.82.Fk http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/194934 en Вопросы атомной науки и техники Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
topic Physics of radiation damages and effects in solids
Physics of radiation damages and effects in solids
spellingShingle Physics of radiation damages and effects in solids
Physics of radiation damages and effects in solids
Pashayev, A.M.
Tagiyev, B.G.
Madatov, R.S.
Gadzhieva, N.N.
Aliev, A.A.
Asadov, F.G.
IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals
Вопросы атомной науки и техники
description For the first time, information on the surface relief of the layered GaS and doped GaS:Yb single crystals subjected to gamma-irradiation was obtained using atomic force microscopy (AFM) and Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR). It was found that GaS is characterized by a non-uniform distribution of irregularities with different heights and periodicities, and when doping crystals with Yb atoms, the distribution of irregularities becomes more orderly, the height and periodicity of irregularities decreases. In the FTIR spectra, changes in the reflection coefficients of the surface of GaS and GaS:Yb single crystals are observed as a function of the gammairradiation dose (Фγ = 30…200 krad), and on the basis of spectroscopic and microscopic changes, it was found that doped single crystals are the most radiation-resistant.
format Article
author Pashayev, A.M.
Tagiyev, B.G.
Madatov, R.S.
Gadzhieva, N.N.
Aliev, A.A.
Asadov, F.G.
author_facet Pashayev, A.M.
Tagiyev, B.G.
Madatov, R.S.
Gadzhieva, N.N.
Aliev, A.A.
Asadov, F.G.
author_sort Pashayev, A.M.
title IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals
title_short IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals
title_full IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals
title_fullStr IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals
title_full_unstemmed IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals
title_sort ir-spectroscopy and afm-microscopy of the surface of gamma-irradiated gas and gas:yb layered single crystals
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
publishDate 2019
topic_facet Physics of radiation damages and effects in solids
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/194934
citation_txt IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals / A.M. Pashayev, B.G. Tagiyev, R.S. Madatov, N.N. Gadzhieva, A.A. Aliev, F.G. Asadov // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 2. — С. 34-38. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.
series Вопросы атомной науки и техники
work_keys_str_mv AT pashayevam irspectroscopyandafmmicroscopyofthesurfaceofgammairradiatedgasandgasyblayeredsinglecrystals
AT tagiyevbg irspectroscopyandafmmicroscopyofthesurfaceofgammairradiatedgasandgasyblayeredsinglecrystals
AT madatovrs irspectroscopyandafmmicroscopyofthesurfaceofgammairradiatedgasandgasyblayeredsinglecrystals
AT gadzhievann irspectroscopyandafmmicroscopyofthesurfaceofgammairradiatedgasandgasyblayeredsinglecrystals
AT alievaa irspectroscopyandafmmicroscopyofthesurfaceofgammairradiatedgasandgasyblayeredsinglecrystals
AT asadovfg irspectroscopyandafmmicroscopyofthesurfaceofgammairradiatedgasandgasyblayeredsinglecrystals
first_indexed 2024-03-31T09:13:35Z
last_indexed 2024-03-31T09:13:35Z
_version_ 1796158001215700992