Способ дополнительной очистки веществ методом направленной кристаллизации за счет импульсного нагрева расплава
Запропоновано методику, що дозволяє підвищити ступінь очистки речовини методом направленої кристалізації із застосуванням періодичного нагрівання частини бокової поверхні ампули з розплавом поблизу фронту кристалізації. Чисельне моделювання показало, що такий спосіб нагріву призводить до утворення к...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут кібернетики ім. В.М. Глушкова НАН України
2008
|
| Schriftenreihe: | Проблемы управления и информатики |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/209088 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Способ дополнительной очистки веществ методом направленной кристаллизации за счет импульсного нагрева расплава / Ю.П. Ладиков-Роев, П.П. Рабочий // Проблемы управления и информатики. — 2008. — № 1. — С. 43-53. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Запропоновано методику, що дозволяє підвищити ступінь очистки речовини методом направленої кристалізації із застосуванням періодичного нагрівання частини бокової поверхні ампули з розплавом поблизу фронту кристалізації. Чисельне моделювання показало, що такий спосіб нагріву призводить до утворення конвективного вихору, який в результаті дії архимедових сил спливає, захоплюючи і виносячи у верхню частину розплавленої зони домішки, що знаходяться поблизу фронту кристалізації. Це, у свою чергу, призводить до зменшення концентрації домішок у більшій частині вирощуваного кристалу, тобто до отримання у цій частині кристалу більш чистої речовини. |
|---|