Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану
Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв’язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною ґраткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температ...
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України
2009
|
| Назва видання: | Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/22264 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2009. — Вип. 10. — С. 138-148. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-22264 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-222642011-06-21T12:06:55Z Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану Чекурін, В. Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв’язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною ґраткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температури та деформації. На одновимірній задачі досліджено вплив власних напружень на формування поверхневих дифузійних шарів у напівпровідниках за ізотермічних умов. The mathematical model for describing the interconnected impurity diffusion and stress-strained state kinetics in a semiconductor with cubic lattice has been considered. The model takes into account thermal and diffusion stresses, diffusion coefficient dependence on temperature and strain. The influence on the diffusion stresses on impurity distribution in the surface diffusion layer in semiconductors has been studied on one-dimensional problem. Сформулирована математическая модель для описания во взаимосвязи процесса однокомпонентной диффузии и кинетики напряженно-деформированного состояния в полупроводнике с кубической кристаллической решеткой. Модель учитывает температурные и диффузионные напряжения, а также зависимость коэффициента диффузии от температуры и деформации. На одномерной задаче исследовано влияние диффузионных напряжений на формирование поверхностных диффузионных слоев в полупроводниках при изотермических условиях. 2009 Article Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2009. — Вип. 10. — С. 138-148. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. 1816-1545 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/22264 539.2 uk Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв’язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною ґраткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температури та деформації. На одновимірній задачі досліджено вплив власних напружень на формування поверхневих дифузійних шарів у напівпровідниках за ізотермічних умов. |
| format |
Article |
| author |
Чекурін, В. |
| spellingShingle |
Чекурін, В. Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології |
| author_facet |
Чекурін, В. |
| author_sort |
Чекурін, В. |
| title |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_short |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_full |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_fullStr |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_full_unstemmed |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_sort |
математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| publisher |
Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України |
| publishDate |
2009 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/22264 |
| citation_txt |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2009. — Вип. 10. — С. 138-148. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
| series |
Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології |
| work_keys_str_mv |
AT čekurínv matematičnamodelʹdifuzíídomíškivnapívprovídnikuzurahuvannâmnapruženodeformovanogostanu |
| first_indexed |
2023-10-18T17:11:57Z |
| last_indexed |
2023-10-18T17:11:57Z |
| _version_ |
1796140924808462336 |