2025-02-23T20:20:16-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-22264%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T20:20:16-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-22264%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T20:20:16-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T20:20:16-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану
Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв’язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною ґраткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температ...
Saved in:
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України
2009
|
| Series: | Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/22264 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| id |
irk-123456789-22264 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-222642011-06-21T12:06:55Z Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану Чекурін, В. Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв’язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною ґраткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температури та деформації. На одновимірній задачі досліджено вплив власних напружень на формування поверхневих дифузійних шарів у напівпровідниках за ізотермічних умов. The mathematical model for describing the interconnected impurity diffusion and stress-strained state kinetics in a semiconductor with cubic lattice has been considered. The model takes into account thermal and diffusion stresses, diffusion coefficient dependence on temperature and strain. The influence on the diffusion stresses on impurity distribution in the surface diffusion layer in semiconductors has been studied on one-dimensional problem. Сформулирована математическая модель для описания во взаимосвязи процесса однокомпонентной диффузии и кинетики напряженно-деформированного состояния в полупроводнике с кубической кристаллической решеткой. Модель учитывает температурные и диффузионные напряжения, а также зависимость коэффициента диффузии от температуры и деформации. На одномерной задаче исследовано влияние диффузионных напряжений на формирование поверхностных диффузионных слоев в полупроводниках при изотермических условиях. 2009 Article Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2009. — Вип. 10. — С. 138-148. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. 1816-1545 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/22264 539.2 uk Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Ukrainian |
| description |
Сформульовано математичну модель для опису у взаємозв’язку процесу однокомпонентної дифузії та напружено-деформованого стану в монокристалічних напівпровідниках із кубічною кристалічною ґраткою. Модель враховує температурні та дифузійні напруження, а також залежність коефіцієнта дифузії від температури та деформації. На одновимірній задачі досліджено вплив власних напружень на формування поверхневих дифузійних шарів у напівпровідниках за ізотермічних умов. |
| format |
Article |
| author |
Чекурін, В. |
| spellingShingle |
Чекурін, В. Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології |
| author_facet |
Чекурін, В. |
| author_sort |
Чекурін, В. |
| title |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_short |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_full |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_fullStr |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_full_unstemmed |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| title_sort |
математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану |
| publisher |
Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України |
| publishDate |
2009 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/22264 |
| citation_txt |
Математична модель дифузії домішки в напівпровіднику з урахуванням напружено-деформованого стану / В. Чекурін // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2009. — Вип. 10. — С. 138-148. — Бібліогр.: 14 назв. — укр. |
| series |
Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології |
| work_keys_str_mv |
AT čekurínv matematičnamodelʹdifuzíídomíškivnapívprovídnikuzurahuvannâmnapruženodeformovanogostanu |
| first_indexed |
2023-10-18T17:11:57Z |
| last_indexed |
2023-10-18T17:11:57Z |
| _version_ |
1796140924808462336 |