Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures

The effects of increase in photoconductivity in the macroporous silicon structures have been examined as a function of the distance between cylinder macropores. The ratio of macroporous silicon photoconductivity to bulk silicon one has been found to achieve a maximum at the distance between macropor...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2010
Автори:	Karachevtseva, L.A., Onyshchenko, V.F., Sachenko, A.V.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2010
Назва видання:	Хімія, фізика та технологія поверхні
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/28960
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures / L.A. Karachevtseva, V.F. Onyshchenko, A.V. Sachenko // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 1. — С. 87-93. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-28960
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-289602011-11-27T12:21:07Z Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures Karachevtseva, L.A. Onyshchenko, V.F. Sachenko, A.V. The effects of increase in photoconductivity in the macroporous silicon structures have been examined as a function of the distance between cylinder macropores. The ratio of macroporous silicon photoconductivity to bulk silicon one has been found to achieve a maximum at the distance between macropores equal to the double thickness of the Shottky layer what corresponds to the experimental results. The relaxation time of photoconductivity for macroporous silicon structures was found to be defined by the light modulation of the barrier on macropore surfaces whereas its relaxation to occur according to the logarithmic law. If T>180 K, the temperature dependence of the relaxation time of photoconductivity is defined by a thermo-emission mechanism of the current transport in the space charge region and below 100 K the relaxation time is controlled by the processes of tunnel current flow. Досліджені ефекти підвищення фотопровідності в структурах макропористого кремнію в залежності від відстані між циліндричними макропорами. Встановлено, що відношення фотопровідності макропористого кремнію до фотопровідності монокристалічного кремнію досягає максимуму при відстані між порами, яка дорівнює двом товщинам шару Шотткі, що відповідає результатам експерименту. Час релаксації фотопровідності структур макропористого кремнію визначається модуляцією світлом бар'єру на поверхні макропор, а її релаксація відбувається за логарифмічним законом. При T>180.К температурна залежність часу релаксації фотопровідності визначається термоемісійним механізмом проходження струму в області просторового заряду, а при T<100.К - тунельними процесами струмопереносу. Исследованы эффекты повышения фотопроводимости в структурах макропористого кремния в зависимости от расстояния между цилиндрическими макропорами. Установлено, что отношение фотопроводимости макропористого кремния к фотопроводимости монокристаллического кремния достигает максимума при расстоянии между порами, равном двум толщинам слоя Шоттки в соответствии с результатами эксперимента. Время релаксации фотопроводимости структур макропористого кремния определяется модуляцией светом барьера на поверхности макропор, а ее релаксация происходит по логарифмическому закону. При Т>180.К температурная зависимость времени релаксации фотопроводимости определяется термоэмиссионным механизмом прохождения тока в области пространственного заряда, а при Т<100К - туннельными процессами токопереноса. 2010 Article Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures / L.A. Karachevtseva, V.F. Onyshchenko, A.V. Sachenko // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 1. — С. 87-93. — Бібліогр.: 14 назв. — англ. 2079-1704 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/28960 544.77:538.945 en Хімія, фізика та технологія поверхні Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	English
description	The effects of increase in photoconductivity in the macroporous silicon structures have been examined as a function of the distance between cylinder macropores. The ratio of macroporous silicon photoconductivity to bulk silicon one has been found to achieve a maximum at the distance between macropores equal to the double thickness of the Shottky layer what corresponds to the experimental results. The relaxation time of photoconductivity for macroporous silicon structures was found to be defined by the light modulation of the barrier on macropore surfaces whereas its relaxation to occur according to the logarithmic law. If T>180 K, the temperature dependence of the relaxation time of photoconductivity is defined by a thermo-emission mechanism of the current transport in the space charge region and below 100 K the relaxation time is controlled by the processes of tunnel current flow.
format	Article
author	Karachevtseva, L.A. Onyshchenko, V.F. Sachenko, A.V.
spellingShingle	Karachevtseva, L.A. Onyshchenko, V.F. Sachenko, A.V. Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures Хімія, фізика та технологія поверхні
author_facet	Karachevtseva, L.A. Onyshchenko, V.F. Sachenko, A.V.
author_sort	Karachevtseva, L.A.
title	Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures
title_short	Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures
title_full	Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures
title_fullStr	Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures
title_full_unstemmed	Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures
title_sort	photoeffect peculiarities in macroporous silicon structures
publisher	Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
publishDate	2010
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/28960
citation_txt	Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures / L.A. Karachevtseva, V.F. Onyshchenko, A.V. Sachenko // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 1. — С. 87-93. — Бібліогр.: 14 назв. — англ.
series	Хімія, фізика та технологія поверхні
work_keys_str_mv	AT karachevtsevala photoeffectpeculiaritiesinmacroporoussiliconstructures AT onyshchenkovf photoeffectpeculiaritiesinmacroporoussiliconstructures AT sachenkoav photoeffectpeculiaritiesinmacroporoussiliconstructures
first_indexed	2023-10-18T17:27:11Z
last_indexed	2023-10-18T17:27:11Z
_version_	1796141579481645056

Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures

Репозитарії

Схожі ресурси