Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface

Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface

Equilibrium spatial structure of the Si89(OH)43H*36 cluster model simulated for a pyramid-like formation on porous silicon surface has been calculated within the frameworks of density functional theory method with 6-31G** basis set. The electron charge and electrostatic field distribution have been...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2010
Автори: Terebinska, M.I., Lobanov, V.V., Grebenyuk, A.G.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України 2010
Назва видання:Хімія, фізика та технологія поверхні
Теми:
Теорія хімічної будови, реакційної здатності та хімічного модифікування поверхні твердих тіл
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/28983
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface / M.I. Terebinska, V.V. Lobanov, A.G. Grebenyuk // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 235-237. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-28983
record_format dspace
spelling irk-123456789-289832011-11-28T12:06:01Z Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface Terebinska, M.I. Lobanov, V.V. Grebenyuk, A.G. Теорія хімічної будови, реакційної здатності та хімічного модифікування поверхні твердих тіл Equilibrium spatial structure of the Si89(OH)43H*36 cluster model simulated for a pyramid-like formation on porous silicon surface has been calculated within the frameworks of density functional theory method with 6-31G** basis set. The electron charge and electrostatic field distribution have been evaluated in the vicinity of such a formation. The electrostatic field tensity has been found to be great enough to ionize adsorbed organic molecules. Методом функціоналу електронної густини з використанням базисного набору 6-31 G** розраховано рівноважну просторову будову кластерної моделі складу Si89(OH)43H*36 для пірамідального утворення на поверхні поруватого силіцію. Одержано розподіл електронного заряду та електростатичного поля в околі такого утворення. Виявлено, що напруженість електростатичного поля достатня для іонізації адсорбованих органічних молекул. Методом функционала электронной плотности с использованием базисного набора 6-31 G** рассчитано равновесное пространственное строение кластерной модели состава Si89(OH)43H*36 для пирамидального образования на поверхности пористого кремния. Получено распределение электронного заряда и электростатического поля вблизи такого образования. Обнаружено, что напряженность электростатического поля достаточна для ионизации адсорбированных органических молекул. 2010 Article Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface / M.I. Terebinska, V.V. Lobanov, A.G. Grebenyuk // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 235-237. — Бібліогр.: 5 назв. — англ. 2079-1704 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/28983 544.723 en Хімія, фізика та технологія поверхні Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
topic Теорія хімічної будови, реакційної здатності та хімічного модифікування поверхні твердих тіл
Теорія хімічної будови, реакційної здатності та хімічного модифікування поверхні твердих тіл
spellingShingle Теорія хімічної будови, реакційної здатності та хімічного модифікування поверхні твердих тіл
Теорія хімічної будови, реакційної здатності та хімічного модифікування поверхні твердих тіл
Terebinska, M.I.
Lobanov, V.V.
Grebenyuk, A.G.
Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
Хімія, фізика та технологія поверхні
description Equilibrium spatial structure of the Si89(OH)43H*36 cluster model simulated for a pyramid-like formation on porous silicon surface has been calculated within the frameworks of density functional theory method with 6-31G** basis set. The electron charge and electrostatic field distribution have been evaluated in the vicinity of such a formation. The electrostatic field tensity has been found to be great enough to ionize adsorbed organic molecules.
format Article
author Terebinska, M.I.
Lobanov, V.V.
Grebenyuk, A.G.
author_facet Terebinska, M.I.
Lobanov, V.V.
Grebenyuk, A.G.
author_sort Terebinska, M.I.
title Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
title_short Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
title_full Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
title_fullStr Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
title_full_unstemmed Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface
title_sort electrostatic field tensities near irregularities of porous silicon surface
publisher Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України
publishDate 2010
topic_facet Теорія хімічної будови, реакційної здатності та хімічного модифікування поверхні твердих тіл
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/28983
citation_txt Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface / M.I. Terebinska, V.V. Lobanov, A.G. Grebenyuk // Хімія, фізика та технологія поверхні. — 2010. — Т. 1, № 3. — С. 235-237. — Бібліогр.: 5 назв. — англ.
series Хімія, фізика та технологія поверхні
work_keys_str_mv AT terebinskami electrostaticfieldtensitiesnearirregularitiesofporoussiliconsurface
AT lobanovvv electrostaticfieldtensitiesnearirregularitiesofporoussiliconsurface
AT grebenyukag electrostaticfieldtensitiesnearirregularitiesofporoussiliconsurface
first_indexed 2023-10-18T17:27:14Z
last_indexed 2023-10-18T17:27:14Z
_version_ 1796141581402636288

Схожі ресурси