Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію
Досліджено вплив іонного травлення поверхонь пластин кремнію на основні параметри фотодіодів, виготовлених на цих поверхнях.
Збережено в:
| Дата: | 2009 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Назва видання: | Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/32230 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Фотоелектричні властивості приймачів випромінювання, виготовлених на іонно травлених поверхнях кремнію / В.Г. Житарюк, В.М. Годованюк, І.В. Докторович // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. — 2009. — № 1 (17). — С. 137-140. — Бібліогр.: 4 назв. — укp. |