Кристалічна структура фаз серій Y1+x(Cu,Ga)4−x та Y3+x(Cu,Ga)11−x
Методами монокристала та порошку визначено кристалічну структуру і уточнено склад шести багатих на галій фаз системи Y–Cu–Ga. Показано, що структури усіх цих фаз можна отримати з ромбічно деформованої підгратки типу BaAl4 кратним збільшенням її періодів (a й b) та частковим заміщенням пар атомів Cu/...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Ukrainian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2011
|
| Назва видання: | Доповіді НАН України |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/36977 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Кристалічна структура фаз серій Y1+x(Cu,Ga)4−x та Y3+x(Cu,Ga)11−x / Н.М. Білявина, В.Я. Марків, М.В. Тимошенко, Ю.О. Тітов, М.С. Слободяник // Доп. НАН України. — 2011. — № 1. — С. 118-125. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Методами монокристала та порошку визначено кристалічну структуру і уточнено склад шести багатих на галій фаз системи Y–Cu–Ga. Показано, що структури усіх цих фаз можна отримати з ромбічно деформованої підгратки типу BaAl4 кратним збільшенням її періодів (a й b) та частковим заміщенням пар атомів Cu/Ga на один атом Cu/Ga, який розташовується в базових сітках (Z = 0; 0,5): 1−Y1,02Cu1,35Ga2,63 (структура типу BaAl4, кратність 1×1), 2−Y1,04Cu1,12Ga2,84 та 3−Y1,0Cu1,0Ga3,0 (власний, 3×3), 4−Y1,08Cu0,57Ga3,35 (9×9), 5−Y3,025Cu4Ga6,975 та 6−Y3,23Cu3,07Ga7,70 (La3Al11, 3×1). |
|---|