Особливостi струмових нестабiльностей фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв, опромiнених нейтронами

Особливостi струмових нестабiльностей фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв, опромiнених нейтронами

GaP LEDs with atypical current characteristics are studied by optical and electrical methods. The thin structure of an S-shaped NDR region which appears in the current-voltage characteristics at low temperatures (100–77 K) after irradiation has become more expressive and possesses the higher oscil...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2008
Автори: Конорева, О.В., Ластовецький, В.Ф., Опилат, В.Я., Гришин, Ю. Г., Петренко, I.В., Пiнковська, М.Б., Тартачник, В.П.
Формат: Стаття
Мова:Ukrainian
Опубліковано: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2008
Теми:
Фізика
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/4125
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Особливостi струмових нестабiльностей фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв, опромiнених нейтронами / О.В. Конорева, В.Ф. Ластовецький, П. Г. Литовченко, В.Я. Опилат, Ю. Г. Гришин, I.В. Петренко, М.Б. Пiнковська, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2008. — № 3. — С. 71-76. — Бібліогр.: 9 назв. — укp.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Опис
Резюме:GaP LEDs with atypical current characteristics are studied by optical and electrical methods. The thin structure of an S-shaped NDR region which appears in the current-voltage characteristics at low temperatures (100–77 K) after irradiation has become more expressive and possesses the higher oscillation amplitude. The high destructive influence of fast neutrons on the emitting recombination is caused by two factors: the electrical fields of radiation defects and the capture of charged carriers by their levels.

Схожі ресурси