Особливостi струмових нестабiльностей фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв, опромiнених нейтронами

Особливостi струмових нестабiльностей фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв, опромiнених нейтронами

GaP LEDs with atypical current characteristics are studied by optical and electrical methods. The thin structure of an S-shaped NDR region which appears in the current-voltage characteristics at low temperatures (100–77 K) after irradiation has become more expressive and possesses the higher oscil...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2008
Hauptverfasser: Конорева, О.В., Ластовецький, В.Ф., Опилат, В.Я., Гришин, Ю. Г., Петренко, I.В., Пiнковська, М.Б., Тартачник, В.П.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2008
Schlagworte:
Фізика
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/4125
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Особливостi струмових нестабiльностей фосфiдо-галiєвих свiтлодiодiв, опромiнених нейтронами / О.В. Конорева, В.Ф. Ластовецький, П. Г. Литовченко, В.Я. Опилат, Ю. Г. Гришин, I.В. Петренко, М.Б. Пiнковська, В.П. Тартачник // Доп. НАН України. — 2008. — № 3. — С. 71-76. — Бібліогр.: 9 назв. — укp.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Beschreibung
Zusammenfassung:GaP LEDs with atypical current characteristics are studied by optical and electrical methods. The thin structure of an S-shaped NDR region which appears in the current-voltage characteristics at low temperatures (100–77 K) after irradiation has become more expressive and possesses the higher oscillation amplitude. The high destructive influence of fast neutrons on the emitting recombination is caused by two factors: the electrical fields of radiation defects and the capture of charged carriers by their levels.

Ähnliche Einträge