Переохлаждение при кристаллизации пленок висмута на германиевой подложке
Исследованы механизм конденсации в пленочной системе Bi—Ge и изменение электрического сопротивления в слоистой пленочной системе Ge—Bi—Ge в ходе циклов нагрев—охлаждение. Определены величина переохлаждения при кристаллизации висмута в контакте с аморфным и поликристаллическим германием — 94 K и у...
Збережено в:
Видавець: | Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України |
---|---|
Дата: | 2007 |
Автори: | , , , , , , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України
2007
|
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/4364 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Переохлаждение при кристаллизации пленок висмута на германиевой подложке / М.М. Колендовский, С.И. Богатыренко, А.П. Крышталь, Н.Т. Гладких, С.В. Дукаров, А.Л. Самсоник, Р.В. Сухов // Адгезия расплавов и пайка материалов. — 2007. — № 40. — С. 55-62. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineРезюме: | Исследованы механизм конденсации в пленочной системе Bi—Ge и изменение
электрического сопротивления в слоистой пленочной системе Ge—Bi—Ge в ходе циклов
нагрев—охлаждение. Определены величина переохлаждения при кристаллизации висмута
в контакте с аморфным и поликристаллическим германием — 94 K и угол смачивания в
островковых пленках висмута на аморфной германиевой подложке — 68°. Полученные
результаты хорошо согласуются с имеющимися данными по обобщенной зависимости
величины переохлаждения от угла смачивания для других контактных систем. |
---|