Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide

Ab initio density functional calculations are performed to investigate the ideal shear deformation of SiC poly types (3C, 2H, 4H, and 6H). The deformation of the cubic and the hexagonal poly types in small strain region can be well represented by the elastic properties of component Si4C-tetrahedrons...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут проблем міцності ім. Г.С. Писаренко НАН України
Дата:2008
Автори: Umeno, Y., Kinoshita, Y., Kitamura, T.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут проблем міцності ім. Г.С. Писаренко НАН України 2008
Назва видання:Проблемы прочности
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/48238
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide / Y. Umeno, Y. Kinoshita, T. Kitamura // Проблемы прочности. — 2008. — № 1. — С. 8-13. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-48238
record_format dspace
spelling irk-123456789-482382013-08-20T22:04:53Z Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide Umeno, Y. Kinoshita, Y. Kitamura, T. Научно-технический раздел Ab initio density functional calculations are performed to investigate the ideal shear deformation of SiC poly types (3C, 2H, 4H, and 6H). The deformation of the cubic and the hexagonal poly types in small strain region can be well represented by the elastic properties of component Si4C-tetrahedrons. The stacking pattern in the polytypes affects strain localization, which is correlated with the generalized stacking fault (GSF) energy profile of each shuffle-set plane, and the ideal shear strength. Compressive hydrostatic stress decreases the ideal shear strength, which is in contrast with the behavior of metals. Выполнены функциональные расчеты ab initio плотности с целью изучения идеальной сдвиговой деформации политипов SiC (3С, 2Н, 4Н, 6Н). Деформирование кубических и гексагональных политапов в области малых деформаций характеризуется упругими свойствами составляющих тетраэдров, Si4C. Характер укладки в политипах оказывает воздействие на локализацию деформаций (что коррелирует с профилем энергии обобщенного дефекта укладки каждой перемещенной плоскости) и идеальную прочность на сдвиг. Сжимающее гидростатическое напряжение снижает идеальную прочность на сдвиг, что отличает поведение этих материалов от металлов. 2008 Article Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide / Y. Umeno, Y. Kinoshita, T. Kitamura // Проблемы прочности. — 2008. — № 1. — С. 8-13. — Бібліогр.: 18 назв. — англ. 0556-171X http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/48238 539. 4 en Проблемы прочности Інститут проблем міцності ім. Г.С. Писаренко НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language English
topic Научно-технический раздел
Научно-технический раздел
spellingShingle Научно-технический раздел
Научно-технический раздел
Umeno, Y.
Kinoshita, Y.
Kitamura, T.
Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
Проблемы прочности
description Ab initio density functional calculations are performed to investigate the ideal shear deformation of SiC poly types (3C, 2H, 4H, and 6H). The deformation of the cubic and the hexagonal poly types in small strain region can be well represented by the elastic properties of component Si4C-tetrahedrons. The stacking pattern in the polytypes affects strain localization, which is correlated with the generalized stacking fault (GSF) energy profile of each shuffle-set plane, and the ideal shear strength. Compressive hydrostatic stress decreases the ideal shear strength, which is in contrast with the behavior of metals.
format Article
author Umeno, Y.
Kinoshita, Y.
Kitamura, T.
author_facet Umeno, Y.
Kinoshita, Y.
Kitamura, T.
author_sort Umeno, Y.
title Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
title_short Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
title_full Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
title_fullStr Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
title_full_unstemmed Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
title_sort ab initio dft study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide
publisher Інститут проблем міцності ім. Г.С. Писаренко НАН України
publishDate 2008
topic_facet Научно-технический раздел
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/48238
citation_txt Ab initio DFT study of ideal shear strength of polytypes of silicon carbide / Y. Umeno, Y. Kinoshita, T. Kitamura // Проблемы прочности. — 2008. — № 1. — С. 8-13. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.
series Проблемы прочности
work_keys_str_mv AT umenoy abinitiodftstudyofidealshearstrengthofpolytypesofsiliconcarbide
AT kinoshitay abinitiodftstudyofidealshearstrengthofpolytypesofsiliconcarbide
AT kitamurat abinitiodftstudyofidealshearstrengthofpolytypesofsiliconcarbide
first_indexed 2023-10-18T18:09:25Z
last_indexed 2023-10-18T18:09:25Z
_version_ 1796143461181685760