2025-02-23T03:40:25-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-49359%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T03:40:25-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-49359%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T03:40:25-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T03:40:25-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію

Комп'ютерне моделювання структурних пошкоджень у монокристалах фосфіду галію

Сучасні методи комп'ютерного моделювання дають змогу розрахувати енергії утворення різноманітних дефектів гратки і досліджувати вплив на них зовнішніх факторів. Ми застосували метод молекулярної динаміки для визначення основних параметрів, що характеризують радіаційні пошкодження у кристалах фо...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Вишневський, І.М., Гонтарук, О.М., Конорева, О.В., Литовченко, П.Г., Манжара, В.С., Пінковська, М.Б., Тартачник, В.П.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2012
Series:Доповіді НАН України
Subjects:
Фізика
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/49359
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Description
Summary:Сучасні методи комп'ютерного моделювання дають змогу розрахувати енергії утворення різноманітних дефектів гратки і досліджувати вплив на них зовнішніх факторів. Ми застосували метод молекулярної динаміки для визначення основних параметрів, що характеризують радіаційні пошкодження у кристалах фосфіду галію: порогової енергії утворення дефекту Ed, енергії утворення вакансії, дивакансії, вакансійних пустот, атомів проникнення та антиструктурних дефектів. Одночасно із експериментальних даних, одержаних нами на опромінених електронами кристалах GaP, визначено величини порогових енергій зміщення атомів Ga та P: за зміною початкової швидкості видалення носіїв (dn/dΦ)Φ→0 та за падінням інтенсивності випромінювання зв'язаного екситону. Одержані значення Ed корелюють із даними комп'ютерного моделювання.

Similar Items