Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs
Исследованы вольт-амперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа ''сэндвич'' на основе GaAs. Показано, как влияет междолинный перенос электронов в областях, прилегающих к туннельной границе, на эффективность генерации диодов в д...
Збережено в:
| Видавець: | Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
|---|---|
| Дата: | 2012 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
2012
|
| Назва видання: | Доповіді НАН України |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/49491 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Цитувати: | Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Доп. НАН України. — 2012. — № 4. — С. 75-80. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-49491 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-494912013-09-20T03:08:14Z Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. Фізика Исследованы вольт-амперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа ''сэндвич'' на основе GaAs. Показано, как влияет междолинный перенос электронов в областях, прилегающих к туннельной границе, на эффективность генерации диодов в диапазоне частот. Досліджено вольт-амперні характеристики та ефективність генерації діодів з тунельними межами в структурах типу ''сендвіч'' на основі GaAs. Показано, як впливає міждолинне перенесення електронів в областях, прилеглих до тунельної межі, на ефективність генерації діодів у діапазоні частот. The current-voltage characteristics and the effectiveness of the generation in diodes with tunnel boundaries in structures of the sandwich type on the basis of GaAs are studied. The effect of the intervalley electron transfer in the areas adjacent to the tunnel border on the generation efficiency for diodes in a certain frequency range is described. 2012 Article Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Доп. НАН України. — 2012. — № 4. — С. 75-80. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 1025-6415 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/49491 621.382.2 ru Доповіді НАН України Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Фізика Фізика |
| spellingShingle |
Фізика Фізика Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs Доповіді НАН України |
| description |
Исследованы вольт-амперные характеристики и эффективность генерации диодов с туннельными границами в структурах типа ''сэндвич'' на основе GaAs. Показано, как влияет междолинный перенос электронов в областях, прилегающих к туннельной границе, на эффективность генерации диодов в диапазоне частот. |
| format |
Article |
| author |
Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. |
| author_facet |
Прохоров, Э.Д. Боцула, О.В. Клименко, О.А. |
| author_sort |
Прохоров, Э.Д. |
| title |
Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs |
| title_short |
Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs |
| title_full |
Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs |
| title_fullStr |
Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs |
| title_full_unstemmed |
Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs |
| title_sort |
влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе gaas |
| publisher |
Видавничий дім "Академперіодика" НАН України |
| publishDate |
2012 |
| topic_facet |
Фізика |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/49491 |
| citation_txt |
Влияние междолинного переноса электронов на эффективность генерации диодов с туннельными границами на основе GaAs / Э.Д. Прохоров, О.В. Боцула, О.А. Клименко // Доп. НАН України. — 2012. — № 4. — С. 75-80. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |
| series |
Доповіді НАН України |
| work_keys_str_mv |
AT prohorovéd vliâniemeždolinnogoperenosaélektronovnaéffektivnostʹgeneraciidiodovstunnelʹnymigranicaminaosnovegaas AT boculaov vliâniemeždolinnogoperenosaélektronovnaéffektivnostʹgeneraciidiodovstunnelʹnymigranicaminaosnovegaas AT klimenkooa vliâniemeždolinnogoperenosaélektronovnaéffektivnostʹgeneraciidiodovstunnelʹnymigranicaminaosnovegaas |
| first_indexed |
2023-10-18T18:12:24Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:12:24Z |
| _version_ |
1796143588663361536 |