Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
Проведено компьютерное моделирование, которое позволило исследовать зависимость основных характеристик солнечного элемента от толщины Si пластин в широком диапазоне значений....
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51645 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами / А.Б. Гниленко, В.А. Дзензерский, С.В. Плаксин, Л.М. Погорелая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 27-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-51645 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-516452014-03-10T15:46:54Z Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами Гниленко, А.Б. Дзензерский, В.А. Плаксин, С.В. Погорелая, Л.М. Энергетическая электроника Проведено компьютерное моделирование, которое позволило исследовать зависимость основных характеристик солнечного элемента от толщины Si пластин в широком диапазоне значений. Проведено комп'ютерне моделювання багатоперехідного кремнієвого сонячного елементу з вертикальними p—n-переходами, що складається з чотирьох послідовно з'єднаних n+–p–p+-структур. Розрахунки виконано за допомогою програмного пакета Silvaco TCAD. Досліджено залежність основних характеристик сонячного елемента від товщини кремнієвих пластин в широкому діапазоні значень. A multijunction silicon solar cell with vertical p–n junctions consisted of four serial n+–p–p+-structures was simulated using Silvaco TCAD software package. The dependence of solar cell characteristics on the silicon wafer thickness is investigated for a wide range of values. 2012 Article Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами / А.Б. Гниленко, В.А. Дзензерский, С.В. Плаксин, Л.М. Погорелая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 27-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51645 621.383 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Энергетическая электроника Энергетическая электроника |
| spellingShingle |
Энергетическая электроника Энергетическая электроника Гниленко, А.Б. Дзензерский, В.А. Плаксин, С.В. Погорелая, Л.М. Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Проведено компьютерное моделирование, которое позволило исследовать зависимость основных характеристик солнечного элемента от толщины Si пластин в широком диапазоне значений. |
| format |
Article |
| author |
Гниленко, А.Б. Дзензерский, В.А. Плаксин, С.В. Погорелая, Л.М. |
| author_facet |
Гниленко, А.Б. Дзензерский, В.А. Плаксин, С.В. Погорелая, Л.М. |
| author_sort |
Гниленко, А.Б. |
| title |
Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами |
| title_short |
Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами |
| title_full |
Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами |
| title_fullStr |
Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами |
| title_full_unstemmed |
Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами |
| title_sort |
влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2012 |
| topic_facet |
Энергетическая электроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51645 |
| citation_txt |
Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами / А.Б. Гниленко, В.А. Дзензерский, С.В. Плаксин, Л.М. Погорелая // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 27-29. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT gnilenkoab vliânietolŝinykremnievyhplastinnaharakteristikimnogoperehodnyhsolnečnyhélementovsvertikalʹnymipnperehodami AT dzenzerskijva vliânietolŝinykremnievyhplastinnaharakteristikimnogoperehodnyhsolnečnyhélementovsvertikalʹnymipnperehodami AT plaksinsv vliânietolŝinykremnievyhplastinnaharakteristikimnogoperehodnyhsolnečnyhélementovsvertikalʹnymipnperehodami AT pogorelaâlm vliânietolŝinykremnievyhplastinnaharakteristikimnogoperehodnyhsolnečnyhélementovsvertikalʹnymipnperehodami |
| first_indexed |
2023-10-18T18:16:45Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:16:45Z |
| _version_ |
1796143783089274880 |