Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона
Представлены разработанные в НПЦ ОЭП «ОПТЭЛ» мощные ИК-диоды с длиной волны излучения 805±10, 870±20 и 940±10 нм. Сила излучения узконаправленных диодов— до 4 Вт/ср в непрерывном режиме и до 100 Вт/ср в импульсном. Мощность излучения широкоугольных диодов достигает 1 Вт в непрерывном режиме. Внешний...
Збережено в:
Видавець: | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
---|---|
Дата: | 2012 |
Автор: | Коган, Л.М. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51647 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Цитувати: | Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона / Л.М. Коган // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 1. — С. 35-40. — Бібліогр.: 14 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007) -
Особенности проектирования высокочастотных КМОП ИC для генераторов с кварцевой стабилизацией частоты
за авторством: Вербицкий, В.Г., та інші
Опубліковано: (2011) -
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2012) -
Интегральные двухсторонние кремниевые микростриповые детекторы
за авторством: Перевертайло, В.Л.
Опубліковано: (2011) -
Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2006)