Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста
Исследовано влияние условии осаждения на состав пленок полукристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (Г/КЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием концентрированного моносилана и закиси азота. Определена область оптимальных с...
Збережено в:
Дата: | 2012 |
---|---|
Автори: | , |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51668 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-51668 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-516682013-12-07T03:07:34Z Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. Технологические процессы и оборудование Исследовано влияние условии осаждения на состав пленок полукристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (Г/КЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием концентрированного моносилана и закиси азота. Определена область оптимальных соотношении их расходов и температуры осаждения, при которых обеспечиваются приемлемая скорость и однородность осаждения, а также управляемость по содержанию кислорода в пленках и конформное осаждение пленок ПКЛК. Досліджено вплив умов осадження на склад плівок полікристалічного кремнію, легованого в процесі росту киснем (ПКЛК). Розроблено адсорбційно-кінетичну модель процесу осадження ПКЛК з використанням концентрованого моносилану і закису азоту. Визначено область оптимальних співвідношень їх витрат та температур осадження, при яких забезпечуються прийнятна швидкість і однорідність осадження, а також керованість за вмістом кисню у плівках ПКЛК і конформне осадження плівок ПКЛК. The influence of deposition conditions on composition of in-situ oxygen doped polysilicon films has been investigated. A kinetic model of adsorption-deposition process using concentrated silane and nitrous oxide has been developed. The range of optimal ratios of silane and nitrous oxide flows and deposition temperature, which provide the acceptable deposition rate, thickness uniformity, controllability of oxygen content in films and conformal deposition, have been determined. 2012 Article Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51668 621.382.002 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
topic |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование |
spellingShingle |
Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
description |
Исследовано влияние условии осаждения на состав пленок полукристаллического кремния, легированного в процессе роста кислородом (Г/КЛК). Разработана адсорбционно-кинетическая модель процесса осаждения ПКЛК с использованием концентрированного моносилана и закиси азота. Определена область оптимальных соотношении их расходов и температуры осаждения, при которых обеспечиваются приемлемая скорость и однородность осаждения, а также управляемость по содержанию кислорода в пленках и конформное осаждение пленок ПКЛК. |
format |
Article |
author |
Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. |
author_facet |
Наливайко, О.Ю. Турцевич, А.С. |
author_sort |
Наливайко, О.Ю. |
title |
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
title_short |
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
title_full |
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
title_fullStr |
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
title_full_unstemmed |
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
title_sort |
кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста |
publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
publishDate |
2012 |
topic_facet |
Технологические процессы и оборудование |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51668 |
citation_txt |
Кинетика процессов осаждения пленок поликремния, легированного кислородом в процессе роста / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 37-41. — Бібліогр.: 18 назв. — рос. |
series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
work_keys_str_mv |
AT nalivajkooû kinetikaprocessovosaždeniâplenokpolikremniâlegirovannogokislorodomvprocesserosta AT turcevičas kinetikaprocessovosaždeniâplenokpolikremniâlegirovannogokislorodomvprocesserosta |
first_indexed |
2023-10-18T18:16:47Z |
last_indexed |
2023-10-18T18:16:47Z |
_version_ |
1796143785002926080 |