Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si»
Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом....
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51670 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» / О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, Т.Ю. Ештокина, Г.И. Брусенская, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 47-50. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-51670 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-516702013-12-07T03:07:35Z Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Ештокина, Т.Ю. Брусенская, Г.И. Марчук, И.А. Материалы электроники Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом. Показано можливість використання методу фотолюмінесценції для вивчення механізмів пластичної деформації на границі «оксид кремнію — кремній» в процесі отримання шарів наноструктурованого кремнію деформаційних методом. The possibility of using the photoluminescence method for studying the mechanisms of plastic deformation at the boundary of "SiO₂—Si" in the process of obtaining nanostructured silicon layers by deformation. 2012 Article Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» / О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, Т.Ю. Ештокина, Г.И. Брусенская, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 47-50. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51670 537.311.33:622.382.33 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Ештокина, Т.Ю. Брусенская, Г.И. Марчук, И.А. Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Показана возможность использования метода фотолюминесценции для изучения механизмов пластической деформации на границе «оксид кремния — кремний» в процессе получения слоев наноструктурированного кремния деформационным методом. |
| format |
Article |
| author |
Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Ештокина, Т.Ю. Брусенская, Г.И. Марчук, И.А. |
| author_facet |
Кулинич, О.А. Яцунский, И.Р. Ештокина, Т.Ю. Брусенская, Г.И. Марчук, И.А. |
| author_sort |
Кулинич, О.А. |
| title |
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» |
| title_short |
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» |
| title_full |
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» |
| title_fullStr |
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» |
| title_full_unstemmed |
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» |
| title_sort |
фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «sio₂—si» |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2012 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51670 |
| citation_txt |
Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO₂—Si» / О.А. Кулинич, И.Р. Яцунский, Т.Ю. Ештокина, Г.И. Брусенская, И.А. Марчук // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 2. — С. 47-50. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT kuliničoa fotolûminescentnyjmetodissledovaniâplastičeskojdeformaciinagranicerazdelasio2si AT âcunskijir fotolûminescentnyjmetodissledovaniâplastičeskojdeformaciinagranicerazdelasio2si AT eštokinatû fotolûminescentnyjmetodissledovaniâplastičeskojdeformaciinagranicerazdelasio2si AT brusenskaâgi fotolûminescentnyjmetodissledovaniâplastičeskojdeformaciinagranicerazdelasio2si AT marčukia fotolûminescentnyjmetodissledovaniâplastičeskojdeformaciinagranicerazdelasio2si |
| first_indexed |
2023-10-18T18:16:47Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:16:47Z |
| _version_ |
1796143785216835584 |