Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃

Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃

Изучен процесс (формирования нанонитей на поверхности (0001) Bi₂Te₃ Установлено, что в плоскости Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ происходит процесс миграции атомов, перемещение и коагуляция кластеров на основе атомов Zn. В результате диффузионно-ограниченной агрегации (формируются структуры с квантовыми точками, из кот...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Видавець:Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Дата:2012
Автори: Алиева, А.П., Алескеров, Ф.К., Кахраманов, С.Ш., Насибова, С.А., Моройдор, Е.Д., Пишкин, М.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Материалы электроники
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51683
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Цитувати:Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ / А.П. Алиева, Ф.К. Алескеров, С.Ш. Кахраманов, С.А. Насибова, Е.Д. Моройдор, М. Пишкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 3. — С. 46-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.

Репозиторії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-51683
record_format dspace
spelling irk-123456789-516832013-12-07T03:08:42Z Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ Алиева, А.П. Алескеров, Ф.К. Кахраманов, С.Ш. Насибова, С.А. Моройдор, Е.Д. Пишкин, М. Материалы электроники Изучен процесс (формирования нанонитей на поверхности (0001) Bi₂Te₃ Установлено, что в плоскости Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ происходит процесс миграции атомов, перемещение и коагуляция кластеров на основе атомов Zn. В результате диффузионно-ограниченной агрегации (формируются структуры с квантовыми точками, из которых самоорганизуются нанонити. Такие поверхностные структуры определяют свойства разрабатываемых топологических изоляторов на основе соединений A₂VB₃VI и увеличивают термоэлектрическую эффективность композита. Вивчено процес формування нанониток на поверхні (0001) Bi₂Te₃. Встановлено, що у площині Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ відбувається процес міграції атомів, переміщення і коагуляція кластерів на основі атомів Zn. В результаті дифузійно-обмеженої агрегації формуються структури з квантовими точками, з яких самоорганізуються нанонитки. Такі поверхневі структури відіграють регулюючу роль при розробці топологічних ізоляторів на основі сполук A₂VB₃VI і збільшують термоелектричну ефективність композиту. Nanowires formation process on a (0001) surface of Bi₂Te₃ is studied. It has been established that on interlayer surfaceTe⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ there is a process of migration of atoms, moving and coagulation of clusters on the basis of Zn atoms. As a result of diffusion-limited aggregation the structures with quantum dots are formed, from which nanowires are self-organized. Such superficial structures play regulating role in working out the topological insulators based on A₂VB₃VI and increase thermoelectric efficiency of a composite. 2012 Article Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ / А.П. Алиева, Ф.К. Алескеров, С.Ш. Кахраманов, С.А. Насибова, Е.Д. Моройдор, М. Пишкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 3. — С. 46-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51683 546.87/86 ”24:54-165 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Материалы электроники
Материалы электроники
spellingShingle Материалы электроники
Материалы электроники
Алиева, А.П.
Алескеров, Ф.К.
Кахраманов, С.Ш.
Насибова, С.А.
Моройдор, Е.Д.
Пишкин, М.
Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Изучен процесс (формирования нанонитей на поверхности (0001) Bi₂Te₃ Установлено, что в плоскости Te⁽¹⁾-Te⁽¹⁾ происходит процесс миграции атомов, перемещение и коагуляция кластеров на основе атомов Zn. В результате диффузионно-ограниченной агрегации (формируются структуры с квантовыми точками, из которых самоорганизуются нанонити. Такие поверхностные структуры определяют свойства разрабатываемых топологических изоляторов на основе соединений A₂VB₃VI и увеличивают термоэлектрическую эффективность композита.
format Article
author Алиева, А.П.
Алескеров, Ф.К.
Кахраманов, С.Ш.
Насибова, С.А.
Моройдор, Е.Д.
Пишкин, М.
author_facet Алиева, А.П.
Алескеров, Ф.К.
Кахраманов, С.Ш.
Насибова, С.А.
Моройдор, Е.Д.
Пишкин, М.
author_sort Алиева, А.П.
title Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃
title_short Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃
title_full Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃
title_fullStr Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃
title_full_unstemmed Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃
title_sort механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком bi₂te₃
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2012
topic_facet Материалы электроники
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51683
citation_txt Механизм формирования межслоевых квантовых нитей в легированном цинком Bi₂Te₃ / А.П. Алиева, Ф.К. Алескеров, С.Ш. Кахраманов, С.А. Насибова, Е.Д. Моройдор, М. Пишкин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 3. — С. 46-48. — Бібліогр.: 10 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT alievaap mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhnitejvlegirovannomcinkombi2te3
AT aleskerovfk mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhnitejvlegirovannomcinkombi2te3
AT kahramanovsš mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhnitejvlegirovannomcinkombi2te3
AT nasibovasa mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhnitejvlegirovannomcinkombi2te3
AT morojdored mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhnitejvlegirovannomcinkombi2te3
AT piškinm mehanizmformirovaniâmežsloevyhkvantovyhnitejvlegirovannomcinkombi2te3
first_indexed 2023-10-18T18:16:49Z
last_indexed 2023-10-18T18:16:49Z
_version_ 1796143786591518720

Схожі ресурси