Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP

Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных темпер...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автор: Новицкий, С.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51695
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP / С.В. Новицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-51695
record_format dspace
spelling irk-123456789-516952013-12-07T03:08:39Z Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP Новицкий, С.В. Функциональная микро- и наноэлектроника Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных температурах отжига. Експериментально підтверджено, що температурна залежність питомого контактного опору омічних контактів Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP опи-сується моделлю струмопреносу з високою щільністю дислокацій у приконтактній ділянці напівпровідника. Досліджувались зразки, отримані при різних температурах відпалу. It is experimentally confirmed that the temperature dependence of specific contact resistance of ohmic contacts Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP is described with the current transport model with a high density of dislocations in the contact region of the semiconductor. The samples used in the experiment were obtained at different annealing temperatures. 2012 Article Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP / С.В. Новицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51695 537.311.4 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
spellingShingle Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
Новицкий, С.В.
Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Экспериментально подтверждено, что температурная зависимость удельного контактного сопротивления омических контактов Au—TiB₂—Ge—Au—n—n⁺—n⁺⁺-InP описывается моделью токопереноса с высокой плотностью дислокаций в приконтактной области полупроводника. Исследовались образцы, полученные при разных температурах отжига.
format Article
author Новицкий, С.В.
author_facet Новицкий, С.В.
author_sort Новицкий, С.В.
title Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
title_short Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
title_full Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
title_fullStr Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
title_full_unstemmed Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
title_sort исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к inp
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2012
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51695
citation_txt Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP / С.В. Новицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 32-34. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT novickijsv issledovanietemperaturnojzavisimostikontaktnogosoprotivleniâomičeskihkontaktovkinp
first_indexed 2023-10-18T18:16:51Z
last_indexed 2023-10-18T18:16:51Z
_version_ 1796143787859247104