Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов

Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов

Разработана, изготовлена и испытана СБИС, позволяющая в составе микроэлектронного координатно-чувствительного детектора проводить одновременный анализ всего элементного состава материала. Схема обеспечивает срабатывание усилителя-преобразователя при поступлении на его вход отрицательного заряда вел...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Сидоренко, В.П., Вербицкий, В.Г., Прокофьев, Ю.В.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51697
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов / В.П. Сидоренко, В.Г. Вербицкий, Ю.В. Прокофьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 39-46. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-51697
record_format dspace
spelling irk-123456789-516972013-12-07T03:08:51Z Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов Сидоренко, В.П. Вербицкий, В.Г. Прокофьев, Ю.В. Функциональная микро- и наноэлектроника Разработана, изготовлена и испытана СБИС, позволяющая в составе микроэлектронного координатно-чувствительного детектора проводить одновременный анализ всего элементного состава материала. Схема обеспечивает срабатывание усилителя-преобразователя при поступлении на его вход отрицательного заряда величиной 1,6×10⁻¹³ Кл. Быстродействие микросхемы в режиме счета составляет не менее 3 МГц, в режиме считывания информации со счетчиков — более 4 МГц, ток потребления — не более 7 мА. Розроблено, виготовлено та випробувано НВІС, що дозволяє в складі мікроелектронного координатно-чутливого детектора проводити одночасний аналіз елементного складу речовини. Схема забезпечує спрацьовування підсилювача-перетворювача при надходженні на його вхід негативного заряду величиною 1,6×10⁻¹³ Кл. Швидкодія мікросхеми в режимі ра-хунку становить не менше 3 МГц, в режимі зчитування інформації з лічильників — більше 4 МГц,струм споживання — не більше 7 мА. There has been designed, manufactured and tested a VLSI providing as a part of the microelectronic coordinate-sensitive detector the simultaneous elemental analysis of all the principles of the substance. VLSI ensures the amplifier-converter response on receiving of 1,6×10⁻¹³ С negative charge to its input. Response speed of the microcircuit is at least 3 MHz in the counting mode and more than 4 MHz in the counter information read-out mode. The power consumption of the microcircuit is no more than 7 mA. 2012 Article Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов / В.П. Сидоренко, В.Г. Вербицкий, Ю.В. Прокофьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 39-46. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51697 621.3.049.77: 681.325 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
spellingShingle Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
Сидоренко, В.П.
Вербицкий, В.Г.
Прокофьев, Ю.В.
Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Разработана, изготовлена и испытана СБИС, позволяющая в составе микроэлектронного координатно-чувствительного детектора проводить одновременный анализ всего элементного состава материала. Схема обеспечивает срабатывание усилителя-преобразователя при поступлении на его вход отрицательного заряда величиной 1,6×10⁻¹³ Кл. Быстродействие микросхемы в режиме счета составляет не менее 3 МГц, в режиме считывания информации со счетчиков — более 4 МГц, ток потребления — не более 7 мА.
format Article
author Сидоренко, В.П.
Вербицкий, В.Г.
Прокофьев, Ю.В.
author_facet Сидоренко, В.П.
Вербицкий, В.Г.
Прокофьев, Ю.В.
author_sort Сидоренко, В.П.
title Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
title_short Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
title_full Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
title_fullStr Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
title_full_unstemmed Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
title_sort схемотехника сбис для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2012
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51697
citation_txt Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов / В.П. Сидоренко, В.Г. Вербицкий, Ю.В. Прокофьев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 4. — С. 39-46. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT sidorenkovp shemotehnikasbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoradlâélementnogoanalizamaterialov
AT verbickijvg shemotehnikasbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoradlâélementnogoanalizamaterialov
AT prokofʹevûv shemotehnikasbisdlâmikroélektronnogokoordinatnočuvstvitelʹnogodetektoradlâélementnogoanalizamaterialov
first_indexed 2023-10-18T18:16:51Z
last_indexed 2023-10-18T18:16:51Z
_version_ 1796143788071059456

Схожі ресурси