Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом

В работе тепловая математическая модель использована для оценки саморазогрева полупроводниковых приборов в процессе измерения их вольт амперной характеристики импульсным способом. Про анализировано влияние саморазогрева на электрические параметры полупроводниковых приборов. Сформулированы рекомендац...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2012
Автори: Ермоленко, Е.А., Бондаренко, А.Ф., Баранов, А.Н.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51705
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом / Е.А. Ермоленко, А.Ф. Бондаренко, А.Н. Баранов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 14-18. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-51705
record_format dspace
spelling irk-123456789-517052013-12-07T03:08:54Z Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом Ермоленко, Е.А. Бондаренко, А.Ф. Баранов, А.Н. Электронные средства: исследования, разработки В работе тепловая математическая модель использована для оценки саморазогрева полупроводниковых приборов в процессе измерения их вольт амперной характеристики импульсным способом. Про анализировано влияние саморазогрева на электрические параметры полупроводниковых приборов. Сформулированы рекомендации по выбору значении параметров измерительной импульсной последовательности, использование которых позволяет минимизировать саморазогрев полупроводниковой структуры. Теплова математична модель використовується для оцінки саморозігріву напівпровідникових приладів різних типів в процесі вимірювання їх ВАХ імпульсним способом. Проаналізовано вплив саморозігріву на електричні параметри напівпровідникових приладів. Сформульовано рекомендації з вибору значень параметрів вимірювальної імпульсної послідовності, використання яких дозволяє мінімізувати саморозігрів напівпровідникової структури. The thermal mathematical model is used to estimate self-heating of semiconductor devices of various types during current-voltage characteristics measuring by the pulse method. The influence of self-heating on electrical parameters of semiconductor devices is analyzed. The recommendations for determination of values of measuring pulse sequence parameters are formulated to minimize self-heating of semiconductor structure. 2012 Article Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом / Е.А. Ермоленко, А.Ф. Бондаренко, А.Н. Баранов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 14-18. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51705 621.317: 621.3.08 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Электронные средства: исследования, разработки
Электронные средства: исследования, разработки
spellingShingle Электронные средства: исследования, разработки
Электронные средства: исследования, разработки
Ермоленко, Е.А.
Бондаренко, А.Ф.
Баранов, А.Н.
Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description В работе тепловая математическая модель использована для оценки саморазогрева полупроводниковых приборов в процессе измерения их вольт амперной характеристики импульсным способом. Про анализировано влияние саморазогрева на электрические параметры полупроводниковых приборов. Сформулированы рекомендации по выбору значении параметров измерительной импульсной последовательности, использование которых позволяет минимизировать саморазогрев полупроводниковой структуры.
format Article
author Ермоленко, Е.А.
Бондаренко, А.Ф.
Баранов, А.Н.
author_facet Ермоленко, Е.А.
Бондаренко, А.Ф.
Баранов, А.Н.
author_sort Ермоленко, Е.А.
title Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
title_short Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
title_full Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
title_fullStr Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
title_full_unstemmed Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
title_sort тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении вах импульсным способом
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2012
topic_facet Электронные средства: исследования, разработки
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51705
citation_txt Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом / Е.А. Ермоленко, А.Ф. Бондаренко, А.Н. Баранов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 14-18. — Бібліогр.: 13 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT ermolenkoea teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom
AT bondarenkoaf teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom
AT baranovan teplovaâmatematičeskaâmodelʹpoluprovodnikovyhpriborovpriizmereniivahimpulʹsnymsposobom
first_indexed 2023-10-18T18:16:52Z
last_indexed 2023-10-18T18:16:52Z
_version_ 1796143788916211712