Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
Исследовал фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной пленками нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложки из п-Si (гетеропереход п-SiC/п-Si). Пленки получали методом прямого ионного осаждения. Для объяснения особенностей вольт-амперных и...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51708 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si / А.В. Семенов, А.А. Козловский, В.М. Пузиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-51708 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-517082013-12-08T03:12:54Z Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si Семенов, А.В. Козловский, А.А. Пузиков, В.М. Функциональная микро- и наноэлектроника Исследовал фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной пленками нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложки из п-Si (гетеропереход п-SiC/п-Si). Пленки получали методом прямого ионного осаждения. Для объяснения особенностей вольт-амперных и фотоэлектрических характеристик гетероструктуры п-SiС/п-Si предложена модель, учитывающая присутствие в контактной области квантовых ям и потенциальных барьеров, обусловленных разрывами зон. Досліджено фотовольтаїчний ефект в ізотипній ге-тероструктурі, утвореній плівками нанокристалічного карбіду кремнію, осадженими на монокрис-талічні підкладинки з n-Si (гетероперехід n-SiC/ n-Si). Плівки отримували методом прямого іонно-го осадження. Для пояснення особливостей вольт-амперних та фотоелектричних характеристик гетероструктури n-SiC/n-Si запропоновано модель, яка враховує присутність в контактній області квантових ям та потенційних бар’єрів, обумовлених розривами зон. Photovoltaic effect in isotype heterotructure formed by nanocrystalline silicon carbide films on single crystal n-Si substrates (n-SiC/n-Si heterojunction) was studied. The films were produced by direct ionic deposition method. The model that takes into account the quantum wells and potential barriers caused by band offsets was proposed to explain the current-voltage characteristics and photovoltaic properties of the heterostructure n-SiC/n-Si. 2012 Article Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si / А.В. Семенов, А.А. Козловский, В.М. Пузиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51708 535.215 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Семенов, А.В. Козловский, А.А. Пузиков, В.М. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Исследовал фотовольтаический эффект в изотипной гетероструктуре, образованной пленками нанокристаллического карбида кремния, осажденными на монокристаллические подложки из п-Si (гетеропереход п-SiC/п-Si). Пленки получали методом прямого ионного осаждения. Для объяснения особенностей вольт-амперных и фотоэлектрических характеристик гетероструктуры п-SiС/п-Si предложена модель, учитывающая присутствие в контактной области квантовых ям и потенциальных барьеров, обусловленных разрывами зон. |
| format |
Article |
| author |
Семенов, А.В. Козловский, А.А. Пузиков, В.М. |
| author_facet |
Семенов, А.В. Козловский, А.А. Пузиков, В.М. |
| author_sort |
Семенов, А.В. |
| title |
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si |
| title_short |
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si |
| title_full |
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si |
| title_fullStr |
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si |
| title_full_unstemmed |
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si |
| title_sort |
фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-sic/n-si |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2012 |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51708 |
| citation_txt |
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si / А.В. Семенов, А.А. Козловский, В.М. Пузиков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT semenovav fotoélektričeskiesvojstvageteroperehodovnsicnsi AT kozlovskijaa fotoélektričeskiesvojstvageteroperehodovnsicnsi AT puzikovvm fotoélektričeskiesvojstvageteroperehodovnsicnsi |
| first_indexed |
2023-10-18T18:16:53Z |
| last_indexed |
2023-10-18T18:16:53Z |
| _version_ |
1796143789236027392 |