2025-02-23T15:50:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51710%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T15:50:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51710%22&qt=morelikethis&rows=5
2025-02-23T15:50:55-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK
2025-02-23T15:50:55-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников

Изучены спектральные, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики тонкопленочных поверхностно-барьерных структур на основе соединений A²B⁶ с разным распределением концентрации носителей в области пространственного заряда, перспективных для использования в качестве ультрафиолетовых фотоприемников....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Main Authors: Бобренко, Ю.Н., Комащенко, В.Н., Ярошенко, Н.В., Шереметова, Г.И., Атдаев, Б.С.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51710
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
id irk-123456789-51710
record_format dspace
spelling irk-123456789-517102013-12-08T03:11:35Z Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников Бобренко, Ю.Н. Комащенко, В.Н. Ярошенко, Н.В. Шереметова, Г.И. Атдаев, Б.С. Функциональная микро- и наноэлектроника Изучены спектральные, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики тонкопленочных поверхностно-барьерных структур на основе соединений A²B⁶ с разным распределением концентрации носителей в области пространственного заряда, перспективных для использования в качестве ультрафиолетовых фотоприемников. Вивчено спектральні, вольт-фарадні та вольт-амперні характеристики тонкоплівкових поверхнево-бар'єрних структур на основі сполук A²B⁶ з різним розподілом концентрації носіїв в області просторового заряду, перспективних для використання як ультрафіолетових фотоприймачів. The article presents the study on spectral, capacitancevoltage and current-voltage characteristics of surfacebarrier structures based on A²B⁶ composition with different carrier concentration profiles in space-charge region sensitive to ultraviolet range and perspective for ultraviolet sensor application. 2012 Article Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников / Ю.Н. Бобренко, В.Н. Комащенко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51710 621.315.592+621.384.2 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
spellingShingle Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
Бобренко, Ю.Н.
Комащенко, В.Н.
Ярошенко, Н.В.
Шереметова, Г.И.
Атдаев, Б.С.
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Изучены спектральные, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики тонкопленочных поверхностно-барьерных структур на основе соединений A²B⁶ с разным распределением концентрации носителей в области пространственного заряда, перспективных для использования в качестве ультрафиолетовых фотоприемников.
format Article
author Бобренко, Ю.Н.
Комащенко, В.Н.
Ярошенко, Н.В.
Шереметова, Г.И.
Атдаев, Б.С.
author_facet Бобренко, Ю.Н.
Комащенко, В.Н.
Ярошенко, Н.В.
Шереметова, Г.И.
Атдаев, Б.С.
author_sort Бобренко, Ю.Н.
title Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
title_short Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
title_full Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
title_fullStr Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
title_full_unstemmed Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
title_sort влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных уф-фотоприемников
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2012
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51710
citation_txt Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников / Ю.Н. Бобренко, В.Н. Комащенко, Н.В. Ярошенко, Г.И. Шереметова, Б.С. Атдаев // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 35-38. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT bobrenkoûn vliânieraspredeleniâprimesivbazenafotoélektričeskiesvojstvapoverhnostnobarʹernyhuffotopriemnikov
AT komaŝenkovn vliânieraspredeleniâprimesivbazenafotoélektričeskiesvojstvapoverhnostnobarʹernyhuffotopriemnikov
AT ârošenkonv vliânieraspredeleniâprimesivbazenafotoélektričeskiesvojstvapoverhnostnobarʹernyhuffotopriemnikov
AT šeremetovagi vliânieraspredeleniâprimesivbazenafotoélektričeskiesvojstvapoverhnostnobarʹernyhuffotopriemnikov
AT atdaevbs vliânieraspredeleniâprimesivbazenafotoélektričeskiesvojstvapoverhnostnobarʹernyhuffotopriemnikov
first_indexed 2023-10-18T18:16:53Z
last_indexed 2023-10-18T18:16:53Z
_version_ 1796143789449936896

Similar Items