2025-02-23T16:24:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: Query fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51712%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T16:24:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: => GET http://localhost:8983/solr/biblio/select?fl=%2A&wt=json&json.nl=arrarr&q=id%3A%22irk-123456789-51712%22&qt=morelikethis&rows=5

2025-02-23T16:24:03-05:00 DEBUG: VuFindSearch\Backend\Solr\Connector: <= 200 OK

2025-02-23T16:24:03-05:00 DEBUG: Deserialized SOLR response

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром

Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа временной зависимости динамического теплового импеданса, полученной...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Main Authors:	Турцевич, А.С., Рубцевич, И.И., Соловьев, Я.А., Васьков, О.С., Кононенко, В.К., Нисс, В.С., Керенце, А.Ф.
Format:	Article
Language:	Russian
Published:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2012
Series:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:	Технологические процессы и оборудование
Online Access:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51712
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!

id	irk-123456789-51712
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-517122013-12-08T03:13:09Z Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром Турцевич, А.С. Рубцевич, И.И. Соловьев, Я.А. Васьков, О.С. Кононенко, В.К. Нисс, В.С. Керенце, А.Ф. Технологические процессы и оборудование Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа временной зависимости динамического теплового импеданса, полученной новым не разрушающим методом дифференциальной спектроскопии. Представлена зависимость внутреннего теплового сопротивления компонентов транзисторной структуры от постоянной времени тепловой релаксации. Досліджено диференціальні профілі розподілу теплового опору «перехід — корпус» транзисторів КП723Г залежно від умов монтажу кристалів у корпус. Спектри теплового опору розраховувалися через аналіз часової залежності динамічного теплового імпедансу, який отримано новим неруйнівним методом диференціальної спектроскопії. Наведено залежність внутрішнього теплового опору компонентів транзисторної структури від сталої часу теплової релаксації. Differential distribution profiles of the thermal «junction-to-case» resistance of KP723G transistors in accordance with the attachment of the crystals into the package have been investigated. Spectra of thermal resistances were calculated from the analysis of the temporal dependence of the dynamic thermal impedance obtained by a new non-destructive method of differential spectroscopy. The dependence of internal thermal resistance of transistor structure components on the thermal relaxation time constant is presented. 2012 Article Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром / А.С. Турцевич, И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, О.С. Васьков, В.К. Кононенко, В.С. Нисс, А.Ф. Керенце // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 44-47. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51712 621.382:535.376 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Russian
topic	Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование
spellingShingle	Технологические процессы и оборудование Технологические процессы и оборудование Турцевич, А.С. Рубцевич, И.И. Соловьев, Я.А. Васьков, О.С. Кононенко, В.К. Нисс, В.С. Керенце, А.Ф. Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description	Исследованы дифференциальные профили распределения теплового сопротивления "переход-корпус" транзисторов КП723Г в зависимости от условий монтажа кристаллов в корпус. Спектры тепловых сопротивлений рассчитывались из анализа временной зависимости динамического теплового импеданса, полученной новым не разрушающим методом дифференциальной спектроскопии. Представлена зависимость внутреннего теплового сопротивления компонентов транзисторной структуры от постоянной времени тепловой релаксации.
format	Article
author	Турцевич, А.С. Рубцевич, И.И. Соловьев, Я.А. Васьков, О.С. Кононенко, В.К. Нисс, В.С. Керенце, А.Ф.
author_facet	Турцевич, А.С. Рубцевич, И.И. Соловьев, Я.А. Васьков, О.С. Кононенко, В.К. Нисс, В.С. Керенце, А.Ф.
author_sort	Турцевич, А.С.
title	Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
title_short	Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
title_full	Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
title_fullStr	Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
title_full_unstemmed	Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
title_sort	исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
publisher	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate	2012
topic_facet	Технологические процессы и оборудование
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51712
citation_txt	Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром / А.С. Турцевич, И.И. Рубцевич, Я.А. Соловьев, О.С. Васьков, В.К. Кононенко, В.С. Нисс, А.Ф. Керенце // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 5. — С. 44-47. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
series	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv	AT turcevičas issledovaniekačestvapajkikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom AT rubcevičii issledovaniekačestvapajkikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom AT solovʹevâa issledovaniekačestvapajkikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom AT vasʹkovos issledovaniekačestvapajkikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom AT kononenkovk issledovaniekačestvapajkikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom AT nissvs issledovaniekačestvapajkikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom AT kerenceaf issledovaniekačestvapajkikristallovmoŝnyhtranzistorovrelaksacionnymimpedansspektrometrom
first_indexed	2023-10-18T18:16:53Z
last_indexed	2023-10-18T18:16:53Z
_version_	1796143789662797824

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром

Similar Items