Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
Исследовано влияние режимов осаждения нитрида кремния на параметры полученных пленок. Установлено, что с уменьшением температуры осаждения скорость осаждения пленок нитрида кремния уменьшается, при этом повышается однородность толщины пленки по пластине. Это позволяет воспроизводимо осаждать пленки...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51723 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Получение тонких пленок Si₃N₄ при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм / О.Ю. Наливайко, А.С. Турцевич // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2012. — № 6. — С. 34-39. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозиторії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Исследовано влияние режимов осаждения нитрида кремния на параметры полученных пленок. Установлено, что с уменьшением температуры осаждения скорость осаждения пленок нитрида кремния уменьшается, при этом повышается однородность толщины пленки по пластине. Это позволяет воспроизводимо осаждать пленки нитрида кремния толщиной менее 10 нм. Установлено, что с целью уменьшения глубины прокисления нитрида кремния окисление целесообразно проводить при температуре 850—900°С. Разработанный процесс осаждения нитрида кремния позволил получить накопительные конденсаторы с удельной емкостью 3,8— 3,9 фФ/мкм² при толщине пленки 7,0 нм. |
|---|