Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами

Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры представляют интерес для создания устройств приема слабых оптических сигналов....

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2013
Автори: Каримов, А.В., Ёдгорова, Д.М., Гиясова, Ф.А., Мирджалилова, М.А., Асанова, Г.О., Абдулхаев, О.А., Мухутдинов, Ж.Ф.
Формат: Стаття
Мова:Russian
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2013
Назва видання:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:
Функциональная микро- и наноэлектроника
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51735
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, М.А. Мирджалилова, Г.О. Асанова, О.А. Абдулхаев, Ж.Ф. Мухутдинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 9-12. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-51735
record_format dspace
spelling irk-123456789-517352013-12-08T03:13:11Z Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами Каримов, А.В. Ёдгорова, Д.М. Гиясова, Ф.А. Мирджалилова, М.А. Асанова, Г.О. Абдулхаев, О.А. Мухутдинов, Ж.Ф. Функциональная микро- и наноэлектроника Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры представляют интерес для создания устройств приема слабых оптических сигналов. Наведено результати досліджень двобарьерної фотодіодної кремнієвої структури з зустрічноввімкненими випрямляючими переходами «метал — напівпровідник» у фотодіодному та фотовольтаїчному режимах включення. Такі структури становлять інтерес для створення пристроїв прийому слабких оптичних сигналів. The article presents the results of studies on silicon photodiode double-barrier structure with back-to-back rectifying junctions "metal—semiconductor" in the photodiode and photovoltaic modes. Such structures are of interest for the development of input devices for weak optical signals. 2013 Article Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, М.А. Мирджалилова, Г.О. Асанова, О.А. Абдулхаев, Ж.Ф. Мухутдинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 9-12. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51735 621.383.52;535.243 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
spellingShingle Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Гиясова, Ф.А.
Мирджалилова, М.А.
Асанова, Г.О.
Абдулхаев, О.А.
Мухутдинов, Ж.Ф.
Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Приведены результаты исследований двухбарьерной фотодиодной кремниевой структуры с встречновключенными выпрямляющими переходами «металл полупроводник» в фотодиодном и фотовольтаическом режимах включения. Такие структуры представляют интерес для создания устройств приема слабых оптических сигналов.
format Article
author Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Гиясова, Ф.А.
Мирджалилова, М.А.
Асанова, Г.О.
Абдулхаев, О.А.
Мухутдинов, Ж.Ф.
author_facet Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М.
Гиясова, Ф.А.
Мирджалилова, М.А.
Асанова, Г.О.
Абдулхаев, О.А.
Мухутдинов, Ж.Ф.
author_sort Каримов, А.В.
title Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
title_short Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
title_full Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
title_fullStr Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
title_full_unstemmed Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
title_sort исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2013
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51735
citation_txt Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Ф.А. Гиясова, М.А. Мирджалилова, Г.О. Асанова, О.А. Абдулхаев, Ж.Ф. Мухутдинов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 9-12. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT karimovav issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami
AT ëdgorovadm issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami
AT giâsovafa issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami
AT mirdžalilovama issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami
AT asanovago issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami
AT abdulhaevoa issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami
AT muhutdinovžf issledovanieprocessaformirovaniâtokovyhharakteristikkremnievogofotodiodasvyprâmlâûŝimibarʹerami
first_indexed 2023-10-18T18:16:56Z
last_indexed 2023-10-18T18:16:56Z
_version_ 1796143791884730368

Схожі ресурси