Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем
Рассмотрены принципы построения интегральных схем малошумящих усилителей (МШУ) на основе кремний -германиевых гетероперехдных биполярных транзисторов (SiGe НВТ) для сверхширокополосных (СШП) систем. СШП-системы диапазона 0,5—10,6 ГГц применяются в области связи, радарах медицинского назначения и сис...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51736 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Малошумящие усилители на основе SiGe-НВТ для сверхширокополосных систем / В.П. Попов, В.П. Сидоренко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2013. — № 1. — С. 13-18. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Рассмотрены принципы построения интегральных схем малошумящих усилителей (МШУ) на основе кремний -германиевых гетероперехдных биполярных транзисторов (SiGe НВТ) для сверхширокополосных (СШП) систем. СШП-системы диапазона 0,5—10,6 ГГц применяются в области связи, радарах медицинского назначения и системах обеспечения безопасности. Предложенные СШП МШУ выполнены по безындуктивным электрическим схемам или схемам с минимальным числом индуктивностей. Проведено исследование и расчеты двух вариантов СШП МШУ. Диапазон рабочих частот от 0.5 до 11 ГГц. |
|---|